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发布时间：2023-04-25
主要特性与技术指标
适合功率器件表征的综合解决方案，高达 1500 A 和 10 kV
中等电流测量和高电压偏置（例如，500 mA，1200 V）
μΩ 导通电阻测量功能
高电压偏置时，可进行精确的 sub-pA 电平电流测量
在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 温度范围内进行全自动热测试
广泛的器件测量功能
可在高达 3000 V 直流偏置时执行全自动电容测量（Ciss、Coss、Crss 等）
10 μs 高功率脉冲测量
封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅极电荷测量
高电压/强电流快速切换选件，适用于 GaN 电流崩塌效应表征
多达 5 个高电压（3 kV）电源/测量通道，提供的灵活性
多达 5 个高电压（3 kV）电源/测量通道，提供的灵活性
