价格：面议
0
联系人：
电话：
地址：
20-电流检测区域；201-第二发射极单元；202-第三发射极单元；30-接地区域；100-公共栅极单元；200-公共集电极单元；40-检测电阻；2-第1发射极单元金属；3-空穴收集区电极金属；4-氧化物；5-多晶硅；6-n+源区；7-p阱区；8-空穴收集区；9-n型耐压漂移层；11-p+区；12-公共集电极金属；13-接触多晶硅；50-半导体功率模块；51-igbt芯片；52-驱动集成块；521-模块引线端子；522-导线；60-dcb板。具体实施方式为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。如图1所示，igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor，双极型三极管)和mos(metaloxidesemiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。在实际应用中，igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半场效晶体管)的高输入阻抗和gtr(gianttransistor，电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。
igbt芯片的边缘还设置有终端保护区域，其中，终端保护区域包括在n型耐压漂移层上设置的多个p+场限环或p型扩散区；从而通过多个p+场限环或p型扩散区对igbt芯片进行耐压保护，在实际应用中，由于p+场限环或p型扩散区的数量与igbt芯片的电压等级有关，因此，关于p+场限环或p型扩散区的数量，本发明实施例对此不作限制说明。具体地，图7示出了一种igbt芯片的表面结构图，如图7所示，第1发射极单元金属2为第1发射极单元101在第1表面中的设置位置，空穴收集区电极金属3为电流检测区域20的电极空穴收集区在第1表面中的设置位置。当改变电流检测区域20的形状时，如指状或者梳妆时，igbt芯片的表面结构如图8所示，本发明实施例对此不作限制说明。在图7的基础上，图9为图7中的空穴收集区电极金属3按照a-a’方向的横截图，如图9所示，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，在每个沟槽内填充有多晶硅5，此外，在两个沟槽中间，还设置有p阱区7和n+源区6，以及，在沟槽与多晶硅5中间设置有氧化物4，以防多晶硅5发生氧化。此外，在第1表面和第二表面之间，还设置有n型耐压漂移层9和导电层，这里导电层包括p+区11，以及在p+区11下面设置有公共集电极金属12。
