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关 键 词:长春QBH铠装管厂商
行 业:机械 雕刻切割设备 打标机
发布时间:2022-12-07
然而,由于3 μm激光晶体的增益系数与热导率较低,在高功率泵浦条件下会出现严重的热透镜与热退偏效应,同时由于缺乏高透过率、高损伤阈值的声光调Q开关,从而难以获得高重复频率、高峰值功率的调Q激光输出。
近年来,牛智川研究员带领的研究团队在973重大科学研究计划、自然科学基金委重大项目及项目等的支持下,深入研究了锑化物半导体的材料基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等,系统性掌握了锑化物量子阱、超晶格低维材料物理特性理论分析和分子束外延生长方法,在突破了锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术基础上,创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构成功实现了2μm波段高性能单模激光器,边模抑制比达到53dB是目前同类器件的高值,同时输出功率达到40mW是目前同类器件的3倍以上。相关成果在Appl.Phys.Lett.114,021102(2019)发表后立刻被国际《化合物半导体,Compound Semiconductor 2019年第2期》长篇报道,指出:“该单模激光器开创性提升边模抑制比,为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。
GaSb基InGaAsSb晶格匹配异质结量子阱的能带带隙可调范围覆盖了1.8μm~4.0μm的短波红外区域,与该波段的其它激光材料体系相比其在研制电直接驱动下高光电效率的激光器方面具有特的优势。
该技术拓展了3μm激光光源,为科研与应用提供了新工具,已在激光牙组织消融上进行了实验,取得了较好的效果。相关研究成果已发表在国际学术Infrared Physics & Technology上。