西宁无压低温烧结纳米银膏代理 烧结银膏
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行 业：电子 电子材料/测量仪 电子浆料
发布时间：2022-10-18
善仁新材料公司制备出纳米银，其平均直径不到10nm。然后在其中加入少量有机物制备出纳米银浆。纳米银在低温下烧结，烧结时间在30min内，提高烧结温度可加速烧结过程并进一步降低接头的电阻率。100℃烧结接头的电阻率低至4.9×10-6Ωm，150℃烧结接头的电阻率可低至3.2×10-7Ωm。接头的剪切强度可达8MPa。需要在接头在烧结时需要大约1MPa的压力。
银烧结技术是把材料加热到低于它的熔点温度，然后材料中的银颗粒聚集结合，并实现颗粒之间的结合强度。传统银烧结采用对材料或设备加压、加热直至形成金属接点的方法。然而，在半导体封装领域，这种加压技术的应用必然会碰到产能不足的问题，因为客户必须在资本密集型的芯片粘接设备上单个自地生产。然而，AlwayStone AS9330不同于传统银烧结产品，它是通过其银颗粒的特表面能，在不需要任何压力的情况下，在普通的烤箱中加热升温到160度就可以烧结。此外，AlwayStone AS9330可以在普通的芯片粘接设备上使用，无需额外投资设备，客户可以简单、快速和低成本地用它来替换现有材料。
善仁新材的这一技术提高了生产效率，从传统银烧结技术每小时只能生产约30个产品上升至现在的每小时3000个。现在，凭借这一新的银烧结材料，第三代半导体封装们得以实现高产能，高可靠性的产品。
如何降低纳米银的烧结温度、减少烧结裂纹并提高烧结体的致密性和热导率成为目前纳米银研究的重要内容。
烧结银的烧结工艺流程就显得尤为重要了。善仁新材研究院根据客户的使用情况，总结出烧结银的工艺流程供大家参考：
8 其他建议：善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高，烧结体密度和硬度逐渐，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，的趋势更加明显;与此同时，烧结温度越高，烧结银块体的热导率也跟着，280℃烧结银的热导率已达到216W/(m·K);热膨胀行为分析也指出150℃、200℃、250℃三个温度烧结的银浆在加热到100℃以上时热膨胀系数都接近于银浆块体的热膨胀系数值，且高于230℃烧结的银块体因烧结过程引起的收缩对热膨胀行为影响较小，所以呈现出稳定的状态。
善仁新材研发人员对混合纳米银的成分进行了分析，发现混合银的分散剂主要来源于小尺寸纳米银配方，这些分散剂在150℃开始分解，但是在400℃仍没有分解完全;对混合纳米银浆混合前后、烧结前后组织形貌的观察发现混合银浆中小尺寸纳米银颗粒包围大尺寸纳米银颗粒而分布，随着加热温度升高，颗粒逐渐形成烧结晶并粗化长大，当加热到230℃时，由于发生原子扩散重排，烧结组织从松枝状结构向3D网络状结构转变，组织明显致密化。
