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薄膜型半导体应变片
这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数，上海激光干涉仪深度测量。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变片。
外延型半导体应变片
这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，上海激光干涉仪深度测量，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。 IDS3010的分辨率，上海激光干涉仪深度测量，比低重量加速器，高一个数量级。上海激光干涉仪深度测量
互感器：
电流互感器和电压互感器的统称。
互感器又称为仪用变压器，是电流互感器和电压互感器的统称。能将高电压变成低电压、大电流变成小电流，用于量测或保护系统。其功能主要是将高电压或大电流按比例变换成标准低电压（100V）或标准小电流（5A或1A，均指额定值），以便实现测量仪表、保护设备及自动控制设备的标准化、小型化。同时互感器还可用来隔开高电压系统，以保证人身和设备的安全。
微型电流互感器一次绕组电流I1与二次绕组I2的电流比，叫实际电流比K。微型电流互感器在额定工作电流下工作时的电流比叫电流互感器额定电流比，用Kn表示。Kn=I1n/I2n 上海模切尺寸激光干涉仪对每个样品旋转，只要安装了反射器和传感器且对齐良好，就可使用多探头误差分离技术处理原始干涉测量数据。
外观检查规定
1 表盘上或外壳上至少应有下述标志符号：A.仪表名称或被测之量的标志符号；B.型号；C.系别符号；D.准确度等级；E.厂名或厂标；F.制造标准号；G.制造年月或出厂编号；H.电流种类或相数，三相仪表中测量机构的元件数量；I.正常工作位置；J.互感器的变比(指与互感器联用的仪表)；K.定值导线值(或符号)和分流器额定电压降值(对低量限电压表的要求)。
2 仪表的端钮和转换开关上应有用途标志；
3 从外表看，零部件完整，无松动，无裂缝，无明显残缺或污损。当倾斜或轻摇仪表时，内部无撞击声；
4 向左右两方向旋动机械调零器，指示器应转动灵活，左右对称；
阻尼时间
1 热电系、热线系及静电系仪表，吊丝式仪表和指针长度大于150MM 的仪表，其可动部分的阻尼时间应不超过6S。其余的仪表应不超过4S。当被测量突然改变时，仪表指示器的前列次偏转值与稳定后的偏转值之比应不大于1.5。凡外电路电阻有规定范围时，当电阻在这个范围内变动时，其阻尼时间均应满足要求。
2 测定仪表指示器的阻尼时间时，应遵守规定。测定阻尼时间时，应自被测之量开始改变(或放回指示器)时起，至指示器离结尾静止位置不大于标度尺长度1%时止。在测定阻尼时间的同时，读取指示器前列次偏转值与稳定后的偏转值，然后求出其比值。测定阻尼时间的具体规定如下：A.单向标度尺仪表——自接入被测量至指示器偏转至标度尺几何中心附近时测定；B.双向对称标度尺仪表——自断开相当于标度尺最大值的被测量时测定；C.双向非对称标度尺仪表——自断开或接通相当于标度尺全长一半的被测量时测定；D.比率表和无机械零位标度尺仪表——自改变被测量使指示器由始点移至标度尺几何中心附近时测定。也允许接入约相当于标度尺几何中心的被测量，再将指示器用机械方法移至标度尺的始点或终点，然后放回指示器的方法测定。测定阻尼时间时应测三次，取其平均值。 激光电流以高频调幅（~MHz）。
这些内容不局限于一种技术方案，而是几种不同技术方案中概括出来的共同点。如采用无导轨干涉仪，对跟踪系统的要求可以降低；采用二维精密跟踪测角系统在1M3测量范围内可以得到高精度；有了超半球反射镜可以提高4路跟踪方案的精度。在现场进行介入制造和装配不能等待很长时间，力和热变形的补偿是必须的而且需要足够快，现在的技术还有相当大的差距，所以这些进展是关键性的。应用范围：新型并行机构机床的鉴定，飞机装配型架的鉴定，大型设备安装，用于生物芯片精密机器人校准等。皮 米 精 度 位 移 传 感 器。上海激光干涉仪表面粗糙度
传感头的紧凑和模块化设计，以及柔性玻璃纤维使得能够在整个工作范围内快速安装和快速对齐。上海激光干涉仪深度测量
不同变比电流互感器。这种型号的电流互感器具有同一个铁心和一次绕组，而二次绕组则分为两个匝数不同、各自独自的绕组，以满足同一负荷电流情况下不同变比、不同准确度等级的需要，例如在同一负荷情况下，为了保证电能计量准确，要求变比较小一些（以满足负荷电流在一次额定值的2/3左右），准确度等级高一些（如1K1.1K2为200/5.0.2级）；而用电设备的继电保护，考虑到故障电流的保护系数较大，则要求变比较大一些，准确度等级可以稍低一点（如2K1.2K2为300/5.1级）。上海激光干涉仪深度测量
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