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碳化硅陶瓷具有耐高温、耐腐蚀、抗冲刷、耐磨、质量轻等特点。窑炉认为可以作为耐磨构件、热交换器、装甲板、大规模集成电路底板及火箭发动机燃烧室喉衬和内衬材料等。
碳化硅有黒、绿两个品种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2的含量尽可能高，杂质含量尽可能低，而生产黑碳化硅时，硅质原料的SiO2的含量可以稍低些。
碳化硅折射率非常高，在普通光线下为2.6767～2.6480。各种晶型的碳化硅密度一般为3.217 g/cm3。碳化硅的莫氏硬度为9.2，且膨胀系数不大。碳化硅还具有很高的热导率。常温下工业碳化硅是一种半导体。碳化硅砖中碳化硅含量在72%~99%。一般选用SiC含量在96%以上的黑色碳化硅作为原料，加入结合剂(或不加结合剂)，经配料、混合、成型及烧成等工序制得。主晶相为碳化硅。主要品种有氧化物结合碳化硅砖、碳结合碳化硅砖、氮化物结合碳化硅砖、自结合碳化硅砖、再结晶碳化硅砖和半碳化硅砖等。具有耐磨、耐侵蚀性好，高温强度大，热震稳定性好，导热率高，热膨张系数小等特性，属高性能耐火材料。
