南昌无压低温烧结纳米银膏厂家 烧结银膏
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行 业：电子 电子材料/测量仪 电子浆料
发布时间：2022-07-01
在电子封装领域，纳米银浆较先被应用在大功率封装领域中。善仁新材料公司采用30nm-50nm的纳米银浆在275℃无压状态下获得了良好的烧结接头。接头的致密度可高达80%，剪切强度达到20MPa。烧结层的热传导率是普通共晶焊料的5 倍以上，这种由纳米银烧结层构成互连层的芯片基板互连技术是一种潜在的适合*三代半导体---宽禁带半导体器件（碳化硅SiC或氮化镓GaN）的技术。此外接头还可承受300℃下，400小时的温度存储试验。
电子互连焊点作为电子器件中起信号传递、散热通道、机械支撑以及环境保护等多方面作用的关键部位，对整个电子电路和器件设备的性能有着非常重要的影响。电子互连材料的发展方向除了钎料、导热胶和导电胶等高分子材料，具有前景的就是低温连接材料，而纳米银作为低温连接材料因具有较好的性能而被广泛研究。
为响应第三代半导体快速发展的需求，善仁新材宣布了革命性的银烧结技术的成功。该技术无需加压烘烤即可帮助客户实现高功率器件封装的大批量生产。AlwayStone AS9330是一款使用了善仁银烧结技术的纳米银，它是一种高可靠性的芯片粘接材料，非常适用于SiC和高功率LED产品等功率模块。
如何降低纳米银的烧结温度、减少烧结裂纹并提高烧结体的致密性和热导率成为目前纳米银研究的重要内容。
烧结银的烧结工艺流程就显得尤为重要了。善仁新材研究院根据客户的使用情况，总结出烧结银的工艺流程供大家参考：
8 其他建议：善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高，烧结体密度和硬度逐渐，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，的趋势更加明显;与此同时，烧结温度越高，烧结银块体的热导率也跟着，280℃烧结银的热导率已达到216W/(m·K);热膨胀行为分析也指出150℃、200℃、250℃三个温度烧结的银浆在加热到100℃以上时热膨胀系数都接近于银浆块体的热膨胀系数值，且高于230℃烧结的银块体因烧结过程引起的收缩对热膨胀行为影响较小，所以呈现出稳定的状态。
善仁新材研发人员对混合纳米银的成分进行了分析，发现混合银的分散剂主要来源于小尺寸纳米银配方，这些分散剂在150℃开始分解，但是在400℃仍没有分解完全;对混合纳米银浆混合前后、烧结前后组织形貌的观察发现混合银浆中小尺寸纳米银颗粒包围大尺寸纳米银颗粒而分布，随着加热温度升高，颗粒逐渐形成烧结晶并粗化长大，当加热到230℃时，由于发生原子扩散重排，烧结组织从松枝状结构向3D网络状结构转变，组织明显致密化。
