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发布时间：2022-06-28
硅片模具加工如何选择光刻胶呢？
注意事项：
①若腐蚀液为碱性，则不宜用正性光刻胶；
②看光刻机型式，NR9 3000PY光刻胶公司，若是投影方式，NR9 3000PY光刻胶报价，用常规负胶时氮气环境可能会有些问题
③负性胶价格成本低，正性胶较贵；
④工艺方面：负性胶能很好地获得单根线，而正性胶可获得孤立的洞和槽；
⑤健康方面：负性胶为有机溶液处理，不利于环境；正性胶属于水溶液，对健康、环境无害。
以上内容由赛米莱德为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助！
光刻胶的作用有什么？
光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被曝光的光刻胶将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，NR9 3000PY光刻胶，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中，NR9 3000PY光刻胶哪家好，光刻胶起防腐蚀的保护作用。
光刻胶
① 工艺角度普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，人们正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。② 曝光系统伴随着新一代曝光技术（NGL）的研究与发展，为了更好的满足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展。先进曝光技术对光刻胶的性能要求也越来越高。③光刻胶的铺展如何使光刻胶均匀地，按理想厚度铺展在器件表面，实现工业化生产。④光刻胶的材料从光刻胶的材料考虑进行改善。
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