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PECVD设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。 设备用途和功能特点 1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。 2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。 3、配置尾气处理装置。 设备安全性设计 1、电力系统的检测与保护 2、设置真空检测与报警保护功能 3、温度检测与报警保护 4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护 设备技术指标 样片尺寸 ≤φ6英寸（或3片2英寸） 样片加热台加热温度 室温～ 600℃±0.1℃ 真空室极限真空 ≤7×10-5Pa 工作背景真空 ≤8×10-4Pa 设备总体漏放率 停泵12小时后，真空度≤10Pa 样品、电极间距 5mm ～ 50mm在线可调 工作控制压强 10Pa ～ 1500Pa 气体控制回路 根据工艺要求配置 单频电源的频率 13.56MHz 双频电源的频率 13.56MHz/400KHz 工作条件 供电 三相五线制 AC 380V 工作环境温度 10℃～ 40℃ 气体阀门供气压力 0.5MPa ～ 0.7MPa 质量流量控制器输入压力 0.05MPa ～ 0.2MPa 冷却水循环量 0.6m3/h 水温18℃～ 25℃ 设备总功率 7kW 设备占地面积 2.0m ～ 2.0m
