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发布时间：2022-04-27
GaN功率元件市场规模至2025年将达8.5亿美元
电力电子行业封装材料的供应商贺利氏电子（Heraeus Electronics ），已加入美国电力研究所(PowerAmerica Institute），以推进宽带隙 (WBG) 半导体的使用。
Heraeus Electronics 的技术专长和 Power America Institute 的行业联系将加速新材料的开发并支持电力电子行业的扩张。此次合作将使下一代碳化硅和氮化电力电子产品更快向市场，降低与新一代技术相关的成本和风险因素。
11月，加拿大公司GaN Systems宣布与德国汽车大厂BMW已就确保氮化(GaN)晶体管产能达成协议，其产量预期能确保该车厂的供应链稳定。
该公司执行官Jim Witham在接受访问时表示，GaN Systems将会为多种应用提供一系列产能。
后，GaN技术本身也在不断取得突破。8月，Novel Crystal Technology，10年销售经验电子元器件销售小批量订单， Inc宣布已成功将其高质量Ga2O3外延片制造技术扩大到100mm。这意味着Ga2O3功率器件现在可以在100mm的量产线上生产。
在异常耀眼的手机快充之外，GaN也开始渗透进电动车、无线充电、5G基础设施等领域，而SiC等其他半导体材料也在朝这些领域扩展。所以，与其他第三代材料构成竞争或互补的关系，将是GaN未来几年的发展走向。
疫情蔓延！南电、台光电等多家PCB大厂停产
江苏疫情严峻，苏州昆山之前宣布4月2-6日，但疫情未见好转，昆山表示，封控措施将续延至4月8日，10年销售经验电子元器件销售报价，企业实施封闭管理，10年销售经验电子元器件销售打样，人员非必要不得离开昆山。
由于昆山是PCB生产重镇，加强疫情管控措施，PCB产业。除此之外，10年销售经验电子元器件销售，昆山是台商大本营，截至今日下午6点，已有近百家台商宣布延长。资料显示，台资PCB厂昆山产能占比为：台光电约30%至40%、欣兴约20%至25%、台郡与南电各为四成，定颖则为60%至65%。
目前南电、南亚、同协、台光电、欣兴等多家台企昆山厂陆续宣布配合当地政策暂时或采取人员闭环调度管理。
栅极长度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶体管
“超大规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，但栅极长度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mV dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，MoS 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”
