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发布时间：2022-02-24
薄膜电容损坏的原因
与击穿元件串联连接的元件上的电压将相应地上升，使得剩余组上的电压将相应地上升，并且通过每个元件的电流也将相应地增加。这一系列反应会导致各成分迅速老化，热值增加。同时，在较高电压的作用下，极板边缘也会发生局部放电。经过一定时间后，与故障元件串联的整组薄膜电容会相继击穿，连接新的一组。组数进一步减少，元件电压进一步升高，过流现象更加严重，介质进一步劣化，温度进一步升高，电弧会进一步增大。这样下去，部件损坏会越来越严重，箱壳膨胀会越来越严重。
用两块金属材料箔做电级，夹在特薄绝缘层物质中，叠成圆柱型或是扁柱状芯轴，物质是涤纶布。涤纶布薄膜电容，相对介电常数较高，体型小，容积大，可靠性不错，适合做旁路电容。
涤纶电容，用两块金属材料箔做电级，夹在特薄绝缘层物质中，叠成圆柱型或是扁柱状芯轴，物质是涤纶布，涤纶布薄膜电容相对介电常数较高，体型小，容积大，可靠性不错，适合做旁路电容。
涤纶布电容的种类多种多样，按其可调节性可分成固定不动电力电容器、调整电力电容器、可变电容器三种；按物质分是汽体物质、无机物固态物质、有机化学固态物质、电解法物质、液体物质及复合型物质等电力电容器。
特点
1、金属聚酯膜，无感式结构
2、阻燃环氧粉末包封(UL94 V-0)
3、自恢复性好，寿命长
主要用途
1、旁路，隔直，耦合，退耦
2、脉冲，逻辑，定时，电路振荡器
3、LCD监视器整流，縁直勰达抑制顔
技术要求
引用标准 7332 (IEC 60384-2)
气候类别 55/105/56
额定温度 P 85°C
工作温度范围 -55°C~105°C
( 85°C to 105°C: decreasing factor 1.25% per °C for VR(dc))
额定电压 P 50V,63V, 100V, 250V
电容量范围 O.OIOpF ~ 1.5|JF
电容量偏差 P±5%(J), ±10%(K), ±20%(M)
耐电压 1.4UR (5s)
损耗角正切 I S1.0% (20°C,1kHz)
| 绝缘电阻 | 215 000M。，CRW0.33卩F 25 000s,CRgt;0.33 卩 F (20°C,100V,1min) |
URgt;100V 230 000MQ, CRM0.33卩F 210 000s,CRgt;0.33 卩 F (20°C,100V,1min) |
脉冲爬升速率 上限Maximum Pulse Rise Time (dv/dt) 若实际工作电压U比额定电压UR低，电容器可工 作在更高的dv/dt场合。这样dv/dt允许值为右表值 | UR(V) | dv/dt (V/ps) |
| P=5.0 | ||
| 50 | 10 | |
| 63 | 10 | |
| 100 | 10 | |
| 250 | 20 |
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