特价库存 MSMD022PIV MSMD042P1C
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关 键 词：MSMD022PIV,MSMD042P1C
行 业：电子 机电元件 按钮开关
发布时间：2021-12-15
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管委会副吴晓华先生致辞
碳化硅在具有高强度绝缘击穿电场降低电能损耗的同时，也容易实现耐高压，所以可以采用单晶硅无法实现的肖特基势垒二管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。由于SBD没有载流子积累，终帮助实现高速的开关动作。
Application Product name Model Rating Connection
Voltages[V] Current[A]
Industrial
equipment Hybrid SiC-IPM PMH75CL1A120 1200 75 6-in-1
Full SiC-IPM PMF75CL1A120
Full SiC Power Modules FMF400BX-24A 1200 400 4-in-1
FMF800DX-24A 800 2-in-1
FMF600DX2-24A 600
FMF800DX2-24A 800
Hybrid SiC Power Modules for
High-frequency Switching
Applications CMH100DY-24NFH 1200 100 2-in-1
CMH150DY-24NFH 150
CMH200DU-24NFH 200
CMH300DU-24NFH 300
CMH300DX-24NFH
CMH400DU-24NFH 400
CMH400HC6-24NFM 1-in-1
碳化硅的热传导率约为单晶硅的三倍，有效提高了散热能力。
有着优异特性的碳化硅 高速的开关操作
高速的开关操作
碳化硅材料的绝缘击穿电场强度大约比单晶硅高10倍。除此之外，由于主要决定电阻的漂移层的厚度也只有单晶硅的十分之一，所以电阻也大幅降低，从而进一步减少电能损耗。同时，SiC的优越性能也大幅降低了功率器件的导通损耗以及开关损耗。
