特价库存 M91C60G4W M91C60G4WA
价格：1500.00起
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关 键 词：M91C60G4W,M91C60G4WA
行 业：电子 机电元件 微动开关
发布时间：2021-12-14
中国的发展正为伦茨和全球带来机遇。未来，在中国，伦茨将坚定推进与客户的双赢合作及伙伴关系。基于满足工业4.0要求的产品、市场和以客户为导向的价值主张，以及伦茨的行业经验等综合要素，为客户提供服务。
Application Product name Model Rating Connection
Voltages[V] Current[A]
Industrial
equipment Hybrid SiC-IPM PMH75CL1A120 1200 75 6-in-1
Full SiC-IPM PMF75CL1A120
Full SiC Power Modules FMF400BX-24A 1200 400 4-in-1
FMF800DX-24A 800 2-in-1
FMF600DX2-24A 600
FMF800DX2-24A 800
Hybrid SiC Power Modules for
High-frequency Switching
Applications CMH100DY-24NFH 1200 100 2-in-1
CMH150DY-24NFH 150
CMH200DU-24NFH 200
CMH300DU-24NFH 300
CMH300DX-24NFH
CMH400DU-24NFH 400
CMH400HC6-24NFM 1-in-1
硬件准备
FX3U
FX3U-485BD通讯模块
FR-E700变频器
水晶头
通讯线制作
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
②、⑧号插针为参数单元用电源，RS-485通讯时不要使用。
当多个系列混合情况下进行485通讯时，如果连接②、⑧号插针可能会导致变频器无法动作或损坏。
请勿连接交换机、调制解调器等。由于电气规格和通讯规格不一致，可能会导致产品损坏。
在这里插入图片描述
两线制接法只需要把变频器和PLC端都接成图中的样子即可。
有着优异特性的碳化硅 优异的散热效果
优异的散热效果
得益于内置三相整流器，逆变器和制动器电路（CIB）的新产品加入，使得变频器器的设计大为简化
与本公司现有模块相比，CIB模块使得紧凑型变频器外型尺寸约可减小36%
搭载新推出的采用CSTBT?*1结构的第7代IGBT和采用RFC*2结构的二管，能够减少功率损耗
而新型封装结构可减少焊接层，提高热循环寿命，有助于提高工业设备的可靠性
新型的压接端子和PC-TIM*3，能够简化工业设备组装工艺
*1
CSTBT?：本公司利用载流子储存效应研发的IGBT
*2
RFC: Relaxed Field of cathode
*3
PC-TIM: Phase Change - thermal Interface Material (相变热界面材料)
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
匹配压配合端子（NX型）
可选择控制端子形状（焊接端子/压配合端子）
焊接工艺减少
匹配压配合端子（NX型）
Featured Products
3级变频器用功率模块
Power Modules for 3-level Inverters
兼容3电平逆变器，功耗约减少30%*1
开发了新型封装*2，有助于减少杂散电感，简化变频器电路结构
研发了体积小，低电感的新型封装以优化IGBT规格*3
产品阵容包括4in1*4/1in1/2in1*5形式，有利于变频器的小型化，可提高设计自由度
*1
搭载本产品的3电平逆变器与搭载本公司已有产品的2电平逆变器相比
*2
1in1/2in1产品的外型尺寸为130mm×67mm，4in1型外型尺寸为115mm×82mm，端子位置精心设计
*3
按照3电平逆变器的要求，对采用本公司CSTBT?（本公司利用载流子蓄电效果开发的IGBT）结构的IGBT规格进行优化
*4
4in1模块将3电平逆变器所需的1相结构封装在一个器件内
*5
共射连接的双向开关模块
内部电路图
内部电路图
特性参数表
适用于各种用途的SiC-SBD
碳化硅材料的绝缘击穿电场强度大约比单晶硅高10倍。除此之外，由于主要决定电阻的漂移层的厚度也只有单晶硅的十分之一，所以电阻也大幅降低，从而进一步减少电能损耗。同时，SiC的优越性能也大幅降低了功率器件的导通损耗以及开关损耗。
