特价库存 AFP3303-F AFP33043
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行 业：电子 机电元件 微动开关
发布时间：2021-12-13
2019年7月27日，正式批复同意设立中国（上海）自由贸易试验区临港新片区。8月20日，中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管委会正式揭牌。
碳化硅在具有高强度绝缘击穿电场降低电能损耗的同时，也容易实现耐高压，所以可以采用单晶硅无法实现的肖特基势垒二管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。由于SBD没有载流子积累，终帮助实现高速的开关动作。
特点
SiC-SBD
与已有产品相比，功率损耗约减少21%*
通过减少功率损耗和高频动作，电抗器和散热板等部件能够做到小型化
采用JBS结构，电涌耐量高，有利于实现高度的可靠性
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与本公司配置Si二管的功率率半导体模块DIPPFC?产品相比
内部模块图
内部模块图
功率损耗比较*
功率损耗比较
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与本公司搭载有功率半导体模块DIPPFC?的Si二管产品相比
有着优异特性的碳化硅 高温操作
高温操作
通过采用将pn结和肖特基结合为一体的JBS结构，实现了高耐浪涌能力。低损耗、高度可靠的SBD有助于电源系统向低功耗、小型化方向发展。
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