特价库存 B4G系列MBME3A1AB BFV00022D
价格：1500.00起
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关 键 词：B4G系列MBME3A1AB,BFV00022D
行 业：电子 机电元件 微动开关
发布时间：2021-12-11
右：gongkong ?总裁潘英章先生
特点
SiC-SBD
与已有产品相比，功率损耗约减少21%*
通过减少功率损耗和高频动作，电抗器和散热板等部件能够做到小型化
采用JBS结构，电涌耐量高，有利于实现高度的可靠性
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与本公司配置Si二管的功率率半导体模块DIPPFC?产品相比
内部模块图
内部模块图
功率损耗比较*
功率损耗比较
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与本公司搭载有功率半导体模块DIPPFC?的Si二管产品相比
借助JBS结构，实现高度可靠
借助JBS结构，实现高度可靠
在温度升高时，电子会向导带转移，漏电流增加，导致无常运行。碳化硅的禁带宽度约为单晶硅的三倍，即使在高温时漏电流的增加也很小，可以确保高温下运行。
有着优异特性的碳化硅 高温操作
高温操作
搭载SiC-MOSFET，能够降低通态阻抗，与已有产品*相比，功率损耗约减少70％
反向恢复电流变小，降低系统运行噪音
集成丰富功能，如自举电路、温度输出等
采用的高开通阈值电压 SiC-MOSFET芯片，门驱动无需负压关断
确保封装和引脚布局与已有产品*的兼容性，直接更换可提高系统性能
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: 本公司产超小型DIPIPM系列
内部模块图
内部模块图
功率损耗比较
功率损耗比较
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