特价库存 M91Z90G4DGA M91Z90G4GGA
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行 业：电子 机电元件 按钮开关
发布时间：2021-12-10
“目前的外部市场毫无疑问是比较疲软的。以往，外部市场发展大势好，大家都水涨船高。”谢卫东认为，当前的外部市场更具挑战性，Lenze如何能够不完全依赖外部市场的涨跌，而保持可持续性的增长，的困难在于内部，“好的战略，要坚决执行，打法要更”。因此，练好内功，成为关键。
程序
在这里插入图片描述
由于FX3U有的变频器通讯指令，所以控制起来很简单，这里我重点演示IVDR指令。
[IVDR 站号 命令 参数 通道]在这里插入图片描述
IVDR的执行过程：给站号1发送命令号FD（十六进制），并把9696（十六进制）作为参数，使用通道1。
这一段程序的作用是上电自动把变频器复位，并切换至NET模式。
如果出现E.PUE报警，请看变频器参数设置。
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IVCK和IVDR的参数部分基本一样，只不过一个是发送，一个是接收。
发送6F命令并把接收回来的数值放到D0中。
这段程序是读取变频器当前运转的频率。在这里插入图片描述
上面这条代码主要就实现了对电机的运行控制。
理解段代码有点难度，FA这条命令能做到对电机的基本控制。下面是这条指令的详细部分。
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代码里K2M10就对应b0~b7，当M10为ON时，对应的b0就会闭合。
如果要中速正转，就需要将b1和b4闭合，也就是程序中的M11和M14。
当然你要是觉得麻烦完全可以用K18或H12作为参数，一样都可以实现中速正转。
让电机停下来要让b7为ON。
在这里插入图片描述
这条代码是写频率，要跟上面那一条配合的使用。
只有当上面的代码选择了电机的旋转方向，但没有选择速度，才会以这条代码的频率去运行。
得益于内置三相整流器，逆变器和制动器电路（CIB）的新产品加入，使得变频器器的设计大为简化
与本公司现有模块相比，CIB模块使得紧凑型变频器外型尺寸约可减小36%
搭载新推出的采用CSTBT?*1结构的第7代IGBT和采用RFC*2结构的二管，能够减少功率损耗
而新型封装结构可减少焊接层，提高热循环寿命，有助于提高工业设备的可靠性
新型的压接端子和PC-TIM*3，能够简化工业设备组装工艺
*1
CSTBT?：本公司利用载流子储存效应研发的IGBT
*2
RFC: Relaxed Field of cathode
*3
PC-TIM: Phase Change - thermal Interface Material (相变热界面材料)
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
匹配压配合端子（NX型）
可选择控制端子形状（焊接端子/压配合端子）
焊接工艺减少
匹配压配合端子（NX型）
Featured Products
3级变频器用功率模块
Power Modules for 3-level Inverters
兼容3电平逆变器，功耗约减少30%*1
开发了新型封装*2，有助于减少杂散电感，简化变频器电路结构
研发了体积小，低电感的新型封装以优化IGBT规格*3
产品阵容包括4in1*4/1in1/2in1*5形式，有利于变频器的小型化，可提高设计自由度
*1
搭载本产品的3电平逆变器与搭载本公司已有产品的2电平逆变器相比
*2
1in1/2in1产品的外型尺寸为130mm×67mm，4in1型外型尺寸为115mm×82mm，端子位置精心设计
*3
按照3电平逆变器的要求，对采用本公司CSTBT?（本公司利用载流子蓄电效果开发的IGBT）结构的IGBT规格进行优化
*4
4in1模块将3电平逆变器所需的1相结构封装在一个器件内
*5
共射连接的双向开关模块
内部电路图
内部电路图
特性参数表
适用于各种用途的SiC-SBD
碳化硅在具有高强度绝缘击穿电场降低电能损耗的同时，也容易实现耐高压，所以可以采用单晶硅无法实现的肖特基势垒二管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。由于SBD没有载流子积累，终帮助实现高速的开关动作。
通过采用将pn结和肖特基结合为一体的JBS结构，实现了高耐浪涌能力。低损耗、高度可靠的SBD有助于电源系统向低功耗、小型化方向发展。
碳化硅材料的绝缘击穿电场强度大约比单晶硅高10倍。除此之外，由于主要决定电阻的漂移层的厚度也只有单晶硅的十分之一，所以电阻也大幅降低，从而进一步减少电能损耗。同时，SiC的优越性能也大幅降低了功率器件的导通损耗以及开关损耗。
