特价库存 MUSN940GL MUSN940GQ
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关 键 词：MUSN940GL,MUSN940GQ
行 业：电子 机电元件 微动开关
发布时间：2021-12-09
右：gongkong ?总裁潘英章先生
有着优异特性的碳化硅 优异的散热效果
优异的散热效果
家电用 600V/15A?25A 超小型全SiC DIPIPM?的优点PV用 600V/50A 大型混合SiC DIPIPM的优点家电用 超小型混合/全SiC DIPPFC?的优点工业用 1200V/75A混合/全SiC IPM的优点工业用 1200V/400A?1200V/800A 全SiC功率模块的优点工业用 1200V/600A?1200V/800A 全SiC功率模块的优点高频用 混合SiC功率模块的优点铁路牵引变流器用 混合SiC功率模块的优点
三菱电机的碳化硅(SiC)功率器件的研发与搭载该器件的产品
用途广泛的各类碳化硅(SiC)功率模块
Application Product name Model Rating Package
Voltages[V] Current[A]
Home appliances
Industrial equipment SiC-SBD BD20060T 600 20 TO-220-2L
BD20060S★★ TO-247-3L
BD20060A★★ TO-263S-3L
BD10120S★★ 1200 10 TO-247-3L
BD20120S★★ 20
Automotive BD20120SJ★★
★★ Under development
得益于内置三相整流器，逆变器和制动器电路（CIB）的新产品加入，使得变频器器的设计大为简化
与本公司现有模块相比，CIB模块使得紧凑型变频器外型尺寸约可减小36%
搭载新推出的采用CSTBT?*1结构的第7代IGBT和采用RFC*2结构的二管，能够减少功率损耗
而新型封装结构可减少焊接层，提高热循环寿命，有助于提高工业设备的可靠性
新型的压接端子和PC-TIM*3，能够简化工业设备组装工艺
*1
CSTBT?：本公司利用载流子储存效应研发的IGBT
*2
RFC: Relaxed Field of cathode
*3
PC-TIM: Phase Change - thermal Interface Material (相变热界面材料)
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
匹配压配合端子（NX型）
可选择控制端子形状（焊接端子/压配合端子）
焊接工艺减少
匹配压配合端子（NX型）
Featured Products
3级变频器用功率模块
Power Modules for 3-level Inverters
兼容3电平逆变器，功耗约减少30%*1
开发了新型封装*2，有助于减少杂散电感，简化变频器电路结构
研发了体积小，低电感的新型封装以优化IGBT规格*3
产品阵容包括4in1*4/1in1/2in1*5形式，有利于变频器的小型化，可提高设计自由度
*1
搭载本产品的3电平逆变器与搭载本公司已有产品的2电平逆变器相比
*2
1in1/2in1产品的外型尺寸为130mm×67mm，4in1型外型尺寸为115mm×82mm，端子位置精心设计
*3
按照3电平逆变器的要求，对采用本公司CSTBT?（本公司利用载流子蓄电效果开发的IGBT）结构的IGBT规格进行优化
*4
4in1模块将3电平逆变器所需的1相结构封装在一个器件内
*5
共射连接的双向开关模块
内部电路图
内部电路图
特性参数表
适用于各种用途的SiC-SBD
用于各种用途的SiC-SBD
应用 产品名称 型号 额定值 封装
电压[V] 电流[A]
家电
工业 SiC-SBD BD20060T 600 20 TO-220-2L
BD20060S★★ TO-247-3L
BD20060A★★ TO-263S-3L
BD10120S★★ 1200 10 TO-247-3L
BD20120S★★ 20
汽车 BD20120SJ★★
★★ Under development
