特价库存 MADHT1507E MBDDT2210
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关 键 词：MADHT1507E,MBDDT2210
行 业：电子 机电元件 霍尔开关
发布时间：2021-11-30
“代理商有多少技术人员都将是考核内容之一，我们希望通过管理渠道、发展渠道进一步挖潜力，重点要发展行业渠道商，给予他们更多价值，携手代理商共同成长。”谢卫东说，“同时也要看到，市场在二三线城市，我们的渠道也要随之下沉，打响Lenze。”
有着优异特性的碳化硅 高速的开关操作
高速的开关操作
得益于内置三相整流器，逆变器和制动器电路（CIB）的新产品加入，使得变频器器的设计大为简化
与本公司现有模块相比，CIB模块使得紧凑型变频器外型尺寸约可减小36%
搭载新推出的采用CSTBT?*1结构的第7代IGBT和采用RFC*2结构的二管，能够减少功率损耗
而新型封装结构可减少焊接层，提高热循环寿命，有助于提高工业设备的可靠性
新型的压接端子和PC-TIM*3，能够简化工业设备组装工艺
*1
CSTBT?：本公司利用载流子储存效应研发的IGBT
*2
RFC: Relaxed Field of cathode
*3
PC-TIM: Phase Change - thermal Interface Material (相变热界面材料)
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
匹配压配合端子（NX型）
可选择控制端子形状（焊接端子/压配合端子）
焊接工艺减少
匹配压配合端子（NX型）
Featured Products
3级变频器用功率模块
Power Modules for 3-level Inverters
兼容3电平逆变器，功耗约减少30%*1
开发了新型封装*2，有助于减少杂散电感，简化变频器电路结构
研发了体积小，低电感的新型封装以优化IGBT规格*3
产品阵容包括4in1*4/1in1/2in1*5形式，有利于变频器的小型化，可提高设计自由度
*1
搭载本产品的3电平逆变器与搭载本公司已有产品的2电平逆变器相比
*2
1in1/2in1产品的外型尺寸为130mm×67mm，4in1型外型尺寸为115mm×82mm，端子位置精心设计
*3
按照3电平逆变器的要求，对采用本公司CSTBT?（本公司利用载流子蓄电效果开发的IGBT）结构的IGBT规格进行优化
*4
4in1模块将3电平逆变器所需的1相结构封装在一个器件内
*5
共射连接的双向开关模块
内部电路图
内部电路图
特性参数表
适用于各种用途的SiC-SBD
碳化硅在具有高强度绝缘击穿电场降低电能损耗的同时，也容易实现耐高压，所以可以采用单晶硅无法实现的肖特基势垒二管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。由于SBD没有载流子积累，终帮助实现高速的开关动作。
家电用 600V/15A?25A 超小型全SiC DIPIPM?的优点PV用 600V/50A 大型混合SiC DIPIPM的优点家电用 超小型混合/全SiC DIPPFC?的优点工业用 1200V/75A混合/全SiC IPM的优点工业用 1200V/400A?1200V/800A 全SiC功率模块的优点工业用 1200V/600A?1200V/800A 全SiC功率模块的优点高频用 混合SiC功率模块的优点铁路牵引变流器用 混合SiC功率模块的优点
三菱电机的碳化硅(SiC)功率器件的研发与搭载该器件的产品
用途广泛的各类碳化硅(SiC)功率模块
内置短路检测电路，能够将短路故障信息输出给控制系统
与已有产品*相比，功率损耗约减少70％*
采用低电感封装，充分发挥SiC器件性能
*
: 使用2个本公司生产的IGBT模块CM400DY-24NF（1200V/400A 2in1）时
产品阵容
Model Rated voltage Reted current External size (D x W)
FMF600DX2-24A★★ 1200V 600A 79.6×122mm
FMF800DX2-24A★★ 800A
★★
: Under development
内部保护电路图（示例）
内部保护电路图（示例）
功率损耗对比 1200V/800A 全SiC功率模块
功率损耗对比 1200V/800A全SiC 功率模块
Featured Products
高频用 混合SiC功率模块的优点
