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发布时间：2021-11-14
晶体谐振器的主要技术指标介绍
标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的
频率准确度：振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。
调整频差：在特定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的较大允许频率偏差。
负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。
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压控振荡器的特性
压控振荡器的类型有LC压控振荡器、RC压控振荡器和晶体压控振荡器。对压控振荡器的技术要求主要有：频率稳定度好、控制灵敏度高、调频范围宽、频偏与控制电压成线性关系并宜于集成等。晶体压控振荡器的频率稳定度高，但调频范围窄；RC压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽，湖北电压调振荡器，LC压控振荡器居二者之间。
在通信或测量仪器中，输入控制电压是欲传输或欲测量的信号（调制信号）。人们通常把压控振荡器称为调频器，用以产生调频信号。在自动频率控制环路和锁相环环路中，输入控制电压是误差信号电压，压控振荡器是环路中的一个受控部件。
锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究
空间辐射环境中的锁相环在SET作用下，将产生频率或相位偏差，HCSL输出电压调振荡器厂家，甚至导致振荡中止，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，也是对SET敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型，HCSL输出电压调振荡器生产厂家，采用TCAD混合模拟的方法，针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器，研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响，通过分析失效机理，以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明，当器件工作在截止区时，入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高，轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。
