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发布时间：2021-10-08
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真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：磁控溅射的基本原理就是以磁场改变电子运动方向， 束缚和延长电子的运动轨迹， 从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量。因此在形成高密度等离子体的异常辉光放电中正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效，同时受正交电磁场的束缚的电子只能在其能量将要耗尽时才能沉积在基片上。这就是磁控溅射具有 “低温”、“高速”两大特点的机理。
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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 ：
靶功率；磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量也越大，沉积速率越快，膜层容易上厚度和硬度，同时工件温升也大，过高的功率会使沉积速率太快，粒子来不及表面迁移和扩散，易形成阴影效应，膜层会比较疏松，应力较大。
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从镀膜的原理及特点看，真空蒸镀工件不带电，真空条件下金属加热蒸发沉积到工件表面，沉积粒子的能量与蒸发时的温度对应。溅射的工件为阳极，靶为阴极，利用原子的溅射作用把靶材原子击出而沉积在工件表面上，沉积原子的能量由被溅射原子的能量分布决定。离子镀的工件为阴极，蒸发源为阳极，进入辉光放电空间的金属原子离子化后奔向工件，并在工件表面沉积成膜，沉积过程中离子对基片表面、膜层与基片的界面以及膜层本身都发生轰击作用，粒子的能量决定于阴极上所加的电压。
