德国FS10R12VT3英飞凌IGBT模块 BSM200GA120DLCS
价格：550.00起
普通晶闸管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。画出它的波形（c）及（d），只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
1：小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流：IA小于2A。
2：大；率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。
3：大功率高频可控硅通常用作工业中；高频熔炼炉等。
主要销售国际的整流管，晶闸管、快速晶闸管、电力模块等产品。总公司已在香港、台湾和东南亚享有名气数十载。主要销售世界各地电力电子器件，主要包括功率模块、IGBT模块、可控硅模块、整流桥模块、二极管模块、IGBT单管和驱动板、单三相整流桥模块、快恢复二极管、肖特基二极管、保险丝、熔断器和气动元件。主要包括:英飞凌、欧派克、日本三社、IXYS艾赛斯、ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、西门康、富士、三菱、新电源、东芝、IR、摩托罗拉、西门子、美国巴斯曼、法国罗兰等功率模块。
我公司力争“追求、创造、树立、服务客户”的质量方针，以“客户利益至上，产品质量”为宗旨。真诚希望与您建立长期稳定、互惠互利的关系。
大量价优供应进口可控硅（晶闸管）、硅整流管分立器件，包括以下产品：
大功率相控可控硅（瑞士ABB、美国IR、东芝TOSHIBA、西码WESTCODE、德国欧派克、富士FUJI、西门子SIEMENS、三菱、三社、NEC、BBC）
大功率双向可控硅（瑞士ABB、富士）
可关断可控硅GTO（瑞士ABB）
大功率快速硅整流管（金属封装）（瑞士ABB、西码WESTCODE）
大功率普通硅整流管（瑞士ABB）
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
静态特性
三菱制大功率IGBT模块
三菱制大功率IGBT模块
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
