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发布时间：2021-08-26
根据理论分析，双结硅基薄膜元件的发电性能应优于晶体硅元件。事实上，由于技术原因，薄膜电站相同功率所需的太阳能电池组件数量远远大于普通晶体硅电站，因此该电站的系统损耗大于普通晶体硅电站。因此，从实际数据来看，如果排除系统损耗因素的影响，双结硅基薄膜模块的单位日照时间发电量高于晶体硅。然而，随着电厂规模的扩大，膜式电厂的系统损耗也会由于元件数量的影响而增加，导致实际发电量较低。事实上，太阳能光伏电站的功率输出受到许多因素的影响。除了自然环境，设备的异常运行也会对产量产生很大影响。因此，测量数据的差异不能完全归因于组件的性能。
功率温度系数小。双结硅基薄膜模块的温度系数约为-0.19%/℃，而晶体硅模块的温度系数约为-0.44%/℃,这表明在夏季、热带或沙漠地区，双结硅基薄膜模块的每瓦发电量略高于晶体硅模块。(2)在弱光照或遮荫条件下，采用双结硅基薄膜组件的光伏电站的功率输出略高于采用晶体硅组件的光伏电站。从以上对晶体硅元件在电站应用中的优势的分析可以看出，双结硅基薄膜元件的缺陷集中在需要更多的配套电气产品，占用更大的土地面积，需要更多的劳动力，同时运输和安装更加困难。
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