德国IXYS二极管模块MDD26-18N1B二极管 DD130F120
价格：88.00起
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏。
标准二极管模块
特点：
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证，E 148688
应用：
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
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PSKD56/08
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PSKD250/08
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PSKD250/14
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正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
供应全新原装IXYS二极管模块
MDA72-08N1B
MDA72-12N1B
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MDA72-16N1B
MDD26-08N1B
MDD26-12N1B
MDD26-14N1B
MDD26-16N1B
MDD26-18N1B
MDD44-08N1B
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MDD44-14N1B
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MDD72-08N1B
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MDD72-16N1B
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MDD95-08N1B
MDD95-12N1B
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MDD95-16N1B
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MDD142-08N1
MDD142-12N1
MDD142-14N1
MDD142-16N1
MDD142-18N1
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MDD172-14N1
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MDD250-14N1
MDD250-16N1
MDD255-12N1
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MDD255-16N1
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MDD310-20N1
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MDD312-18N1
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MDD600-12N1
MDD600-16N1
MDD600-18N1
MDD600-22N1
MDD950-12N1W
MDD950-16N1W
MDD950-18N1W
MDD950-22N1W
MDO500-12N1
MDO500-14N1
MDO500-16N1
MDO500-18N1
semikroninternationalgmbh由fritzmartin博士创建于1951年，是一家国际的半导体器件制造商。赛米控公司总部位于德国纽伦堡，全球拥有超过3000名员工，是财政立的家族式企业。
赛米控在全球共有37家子公司，在德国、巴西、中国、法国、印度、意大利、韩国、斯洛伐克、南非和美国分别设有生产基地，全球共有8个方案解决中心（分别在：中国，美国，法国，韩国，巴西，南非，印度，澳大利亚），能够为客户提供快速和全面的现场服务。随着2009年子公司sindopower的成立，赛米控还扩展了其分销渠道。sindopower是一家电力电子产品网上商店并向中小企业提供技术咨询的电子商务公司。
产品范围包括芯片、半导体分立器件、igbt、二极管和可控硅模块、定制解决方案和集成电子功率单元系统。赛米控是二极管和可控硅半导体模块市场，拥有全球30%的市场份额。
赛米控是一家全球性的电力电子组件和系统制造商，产品主要集中在中等至大功率范围（约2kw-10mw）。产品应用范围包括可调速的工业传动装置、自动化技术、焊接设备和电梯。其他应用包括不间断电源、可再生能源（风能和太阳能）以及电动和混合动力交通工具（商务车、运输工具、跑车、客车）。
二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
正向特性
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值，反向电流会急剧，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
PROTON二极管
二极管模块
MD3-660-18-A2-N
MD3-580-26-A2-N
MD3-470-44-A2-N
MD3-320-65-A2-N
MD3-515-36-A2-N
MD3-380-52-A2-N
MD3-320-18-C-N
MD3-250-26-C-N
MD3-200-34-C-N
MD3-1000-28-D-N
MD3-800-44-D-N
MD1-950-44-E-N
MD1-1125-28-E-N
MD1-1280-22-E-N
MD3-245-18-F-N
MD3-215-22-F-N
MD3-175-28-F-N
MD3-155-36-F-N
