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遵义igbt模块图 SKM200GAL123DKL110
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电子
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电子可控硅
发布时间:2021-08-03
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。
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