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原位聚合法
原位聚合法是将单体或可溶性预聚体在基材表面聚合形成导电聚合物膜，主要包括直接聚合法、溶液聚合吸附法、化学气相沉积法、气相沉积聚合法、液相沉降聚合法。原位聚合法是一种极有前景的制作PEDOT对电极的方法，这种方法在制作其他PEDOT材料尤其是光学材料上得到了广泛的应用，PEDOT哪家好，一些xPEDOT薄膜对电极研究中的制膜均采用该方法。
合成法产率低，PEDOT报价，成本高。改进或找到一种新的合成方法以提高EDOT的产率、降低生产成本是当前科研工作者的主要任务。笔者在合成EDOT的过程中对该方法进行了一些改进，如引入相转移催化剂和沸石分子筛，PEDOT，提高了EDOT的产率。
制备单体EDOT的方法为传统意义上的”五步合成法”，也是多年来报道过的唯y方法。该法从工业角度考虑有几大缺点，PEDOT价格，比如需要强碱、高温，存在致a物质(1、2一二xyw)等。2004年4月瑞典科学家Fredrik von Kieseritzky等提出一种x且有效制备EDOT的方法。
该法通过2，3-二甲y基-1，3-丁二烯在正己烷溶剂中、于5~C的条件下与SC1：反应制成3，4-二甲y基s吩，然后用对甲bh酸作催化剂与乙二醇反应制得EDOT。该法原料价廉易得、合成简单、条件温和、产率高(60％)，非常适合于工业化生产。这一关键技术的突破将极大促进f吩类导电聚合物的发展。
考虑PEDOT:PSS材料本身的特性和硅表面结构光学管理后，硅与背金属电极界面的接触情况成为了制约电池效率提升的主要因素，硅/金属的直接接触会导致界面处形成肖特基势垒，对电子传输的阻碍作用极大，同时界面处严重的复合造成了载流子的损失。基于此，选用氧化锌作为电子选择性材料，将其用于界面处形成金属-介质-半导体结构，并对氧化锌进行Li掺杂调节其功函数进一步减小或消除界面势垒。另外，对硅表面通过本征非晶硅层钝化，这样既能钝化硅又能改善电接触。并结合硅金字塔陷光结构，终实现超过15%的电池转换效率。
