HMC438MS8G 微波射频代理 RF微波器件
价格：面议
产品规格：
产品数量：
包装说明：
关 键 词：HMC438MS8G,微波射频代理
行 业：仪器仪表 集成电路 IC集成电路
发布时间：2021-06-01
Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），为率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz放大器应用。特征50欧姆匹配55 W（脉冲宽度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的价值。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域特的材料知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理更大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热更低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将更亮、更可调节的发光二极管用于一般照明、获得更鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及更为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与国防有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二极管芯片、照明用发光二极管、背光发光二极管、电源开关器件、以及广播/无线设备
安森美半导体是全球半导体企业，服务横跨多重电子应用领域。科锐将向安森美半导体供应价值8500万美元（折合币约6亿元）的150mm碳化硅（SiC）裸片和外延片，用于EV电动汽车和工业应用等高速增长的市场。
安森美半导体副总裁兼采购官Jeffrey Wincel表示：“安森美半导体持续引领高能效创新和器件的发展。与科锐的合作非常重要，这将帮助我们保持世界的供应库。该协议将支持我们对于汽车和工业应用领域增长的承诺，确保业界的碳化硅（SiC）的供应，从而帮助们解决其所面临的特设计挑战。”
TGA4508主要特点
•典型频率范围：30 - 42 GHz
•21 dB标称增益
•2.8 dB标称噪声系数
•14 dBm标称P1dB @ 38 GHz
•偏置3 V，40 mA
•0.15um 3MI pHEMT技术
•芯片尺寸1.7 x 0.8 x 0.1 mm
（0.067 x 0.031 x 0.004）in
主要应用
•点对点无线电
•点对多点无线电
•Ka Band VSAT
CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元（折合币约67.8亿元）用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。其中，4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
这项投资是Cree迄今为止大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。
