HMC702LP6CE 微波射频代理 射频放大器
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行 业：仪器仪表 集成电路 IC集成电路
发布时间：2021-04-28
面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率超越大多数磁控管
与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势
马萨诸塞州顿——（2019年国际微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的率，以2.45 GHz超越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。
50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在完全额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少更换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。
MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，无需更多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门极偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。
Wolfspeed的cghv1j006d是一种高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），采用0.25μm的栅极长度制造工艺。这款GaN-on-SiC产品具有的高频、功能。它非常适合在40伏高击穿电压下从10兆赫到18千兆赫的各种应用。
Qorvo的TGA2595是一款平衡Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15um GaN on SiC工艺制造。 平衡配置支持低回波损耗，并提高了对非理想负载的鲁棒性。工作频率范围为27.5至31 GHz，饱和输出功率为9 W，功率附加效率为22％，信号增益为30 dB。 除了出色的线性特性外，TGA2595还非常适合支持商业和国防相关的卫星通信。
实现行业高水平的功率、线性度和效率，充分提高 Ka 频段和 X 频段系统的性能
中国 北京，2019年6月20日 —— 移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，发布两款全新的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）系列产品--- QPA2212和QPA1022，它们适合国际Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业高水平，且体积更小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。
QPA2212适用于Ka频段应用，可使宽带多载波系统的线性度达到行业高水平。该功率放大器在27-31Ghz频段内提供20瓦RF功率。此外，还有14瓦的 QPA2211D 和7瓦的 QPA2210D 选项。单个 MMIC PA 提供的线性功率越高，越有可能降低成本和提高性能。QPA2212D 现可提供裸片版，封装版将于2019年8月份推出。
QPA1022 适用于X频段相控阵应用，在8.5-11 Ghz范围内可提供出色的功率附加效率---4瓦RF功率条件下高达45%。相较于先前产品，效率提升8%，同时还能提供24 dB大信号增益。这些功能可以充分提高功率和降低热量，增强可靠性并降低拥有成本。对于相同的功率预算，设计人员如今可创建更高密度的阵列，扩大功率的适用范围。QPA1022现面向客户提供封装和裸片两种版本。
Qorvo国防和航空市场战略总监Dean White表示：“这些新放大器将扩大 Qorvo现有的庞大产品组合，为国防应用提供差异化的GaN产品。两款新品的功能和封装技术充分运用了我们30多年来在这个市场设计和提供RF解决方案的经验，同时也为28GHz 5G网络设计商业化提供了可行方案。
Qorvo提供业界全、具创意的GaN-on-SiC产品组合，帮助客户显著提升效率和工作带宽Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点，早在2000年就开始了批量生产。
