PTFB093608FV-V3-R0 cree代理 原装进口
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行 业：仪器仪表 集成电路 IC集成电路
发布时间：2021-04-26
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CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及超视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数小可以达到11.5dB和13dB。
Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）基于单片微波集成电路（MMIC）。 GaN具有优异的性能相比，硅或化镓，包括更高的击穿电压，高饱和电子漂移速度，高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了更大的功率密度和更宽的带宽相比，Si和GaAs晶体管。这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器，使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装，配有钨铜散热器。
典型应用包括
双通道私人电台
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%
Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的价值。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域独特的材料知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理更大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热更低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将更亮、更可调节的发光二极管用于一般照明、获得更鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及更为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与国防有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二极管芯片、照明用发光二极管、背光发光二极管、电源开关器件、以及广播/无线设备。
