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关 键 词：TGA2622-CP微波射频代理
行 业：仪器仪表 集成电路 IC集成电路
发布时间：2021-04-21
Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有的功率附加效率。与硅或化镓相比，氮化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。
CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元（折合币约67.8亿元）用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。其中，4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
这项投资是Cree迄今为止大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。
当年初还有媒体还在怀疑5G在全球落地进展可能并不如预期时，韩国和美国很快就争先恐后在4月宣布5G正式商用迅速揭开5G行业落地的大幕。而近日中国工信部向中国电信、中国移动、、中国广电正式发放5G商用牌照，更被认为是全球5G发展的标志性事件。
作为无线通信划时代的发展阶段，5G被给予厚望，然而5G商业化进程中，微波射频技术在这些年的快速发展至关重要——如何在比4G基站系统更小的空间内容装入超过4倍、8倍甚至更高的通道密度，需要射频端技术的更新和演进，为此全球射频与微波技术企业都卯足劲陆续推出新的解决方案。其中作为面向 5G 基础设施的 RF 和微波技术及系统设计的行业者，ADI多年前通过产业并购打造从DC到100GHz的强大无线信号技术链，并在近几年连续推出多款相关的硬核产品技术，为占据5G落地先机全面布局。强强整合再出发，打造强大射频微波技术
ADI一直对自己有清晰的战略定位——全球的高性能模拟技术提供商，为此其近年来的多项战略性并购行动也指向明确地服务于这样的企业定位，包括五年前（2014年）对微波射频全球重要技术提供商Hittite（讯泰）的并购，两年前完成对Linear的并购，以及引入面向工业和汽车市场的创新技术Symeo 和GaAs和GaN放大器公司OneTree Microdevices。
面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率超越大多数磁控管
与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势
马萨诸塞州顿——（2019年国际微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的率，以2.45 GHz超越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。
50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在完全额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少更换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。
MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，无需更多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门极偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。
