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行 业：仪器仪表 集成电路 IC集成电路
发布时间：2021-04-16
就在工信部发放5G拍照前一周，ADI宣布推出一款面向毫米波 (mmWave) 5G 基础设施的新型解决方案，该解决方案整合了 ADI 的波束成形 IC、上/下变频 (UDC) 和其它混合信号电路，宣称拥有目前高的集成度，以降低下一代蜂窝网络基础设施的设计要求和复杂性。
这款新型毫米波 5G 芯片组包括16通道ADMV4821双/单极化波束成形IC，和16 通道单极化波束成形芯片ADMV4801，以及毫米波 UDC的ADMV1017。这组24至 30 GHz 波束成形+ UDC解决方案构成了一个符合 3GPP 5G NR 标准的毫米波前端，支持 n261、n257 和 n258 频段。高通道密度，加上支持单极化和双极化部署的能力，极大地增强了针对多种 5G 用例的系统灵活性和可重构性，而同类佳的等效全向辐射功率 (EIRP) 则扩展了无线电覆盖范围和密度。
兼顾5G高性能和小尺寸，微波上变频器和下变频器集成度很重要
而稍早前，ADI在今年2月宣布推出高集成度微波上变频器和下变频器ADMV1013 和 ADMV1014，在24 GHz至44 GHz的极宽频率范围内工作，使得在构建的单一平台上可以支持所有5G毫米波频带（包括28 GHz和39 GHz），从而简化设计并降低成本。
此外，该芯片组能够提供平坦的1 GHz RF瞬时带宽，支持所有宽带服务以及其他超宽带宽收发器应用。每个上变频器和下变频器均高度集成，包括I（同相）和Q（正交相）混频器，片内可编程正交移相器可配置为直接变频至/自基带（工作频率范围：DC至6 GHz）或变频至IF（工作频率范围：800 MHz至6 GHz）。
片内还集成了电压可变衰减器、发射PA驱动器（上变频器中）和接收LNA（下变频器中）、集成4倍倍频器的LO缓冲器和可编程跟踪滤波器。大多数可编程功能通过SPI串行接口控制。通过此端口，这些芯片还为每个上变频器和下变频器提供独特功能以纠正各自的正交相位不平衡，因此可以提高通常难以抑制的边带发射性能，从32 dBc典型值改善10 dB或以上。这样，可提供无可匹敌的微波无线电性能。这些特性组合提供前所未有的灵活性和易用性，同时将外部元件减至少，支持实现小型蜂窝等小尺寸系统。
面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率超越大多数磁控管
与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势
马萨诸塞州顿——（2019年国际微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的率，以2.45 GHz超越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。
50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在完全额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少更换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。
MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，无需更多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门极偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。
移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与RF解决方案的供应商Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，截至2019年6月29日的2020财年第1季度财务业绩。按照GAAP计算的Qorvo 2020财年第1季度收入为7.76亿美元，毛利率为37.9%，稀释每股收益为0.33美元。
此次公开的Qorvo未来的运营规划包括：
打入近地轨道卫星宽带GaN放大器市场并取得主导地位，从而为全球几乎所有地方提供OneWeb™太空互联网连接。
高频5GHz BAW滤波器使Wi-Fi 6产品组合进一步扩展，并签订基于BAW的iFEM的设计合同，从而实现行业的范围、吞吐量和信号完整性。
签订共存BAW滤波器和LNA的设计合同，为General Motors®、Volkswagen®及其他汽车OEM提供支持。
将电源管理技术延伸至新的垂直市场，并提供电源管理解决方案，为包括Skil®电动工具在内的多种应用提供支持。
成为韩国智能手机制造商的供应商，为2019年快速发展的5G设备提供天线调谐、高频段及超高频段解决方案。
签订中国一家OEM的设计合同，为即将上市的5G智能手机供应低频段、高频段和超高频段解决方案。
为Samsung®供应用于大众市场Galaxy A™系列的天线调谐、高频段PAD和Wi-Fi iFEM，显著提高在中端市场的市场占有率和营业额。
基于频段 1／3／7BAW的六工器开始大量出货，实现面向出口市场的更高阶的载波聚合，并供应多个中国的智能手机OEM。
接到新发布的基于BAW的天线转换开关的订单，并获得可编程5G天线调谐器（可执行孔径和阻抗调谐）的设计合同。
认知电子战及人工智能在领域的深入应用
1. GaN前端组件提高的功率和搜索能力
氮化镓（GaN）被认为是自硅以来影响大的半导体创新产品，该材料能够在比传统半导体材料高得多的电压下工作。更高的电压意味着更高的效率，因此基于GaN的RF功率放大器和衰减器具有更低的功耗，且产生热量更少。随着越来越多使用GaN的RF元件供应商为市场提供适用于生产的可靠产品，基于GaN的放大器日益普及。
该技术对于有源电子扫描阵列（AESA）系统的发展非常重要。AESA是完全有源的阵列，包含数百甚至数千个天线，每个天线都有其相位和增益控制。这些系统使用相控阵发射器和，以电子方式操纵波束而无需物理移动天线。与其他传统相比，这些类型的系统因其更高的目标功率、空间分辨率和鲁棒性而日益普及。例如，如果阵列中的某个元件发生故障，仍可以继续工作。GaN放大器在AESA中的应用日益增加，提供了更好的性能，可在更小的外形尺寸和更低的冷却需求下实现相同的输出功率。
2. 高速数据转换器 为提供更高的动态范围和更宽的瞬时带宽
转换器技术每年都在不断进步。现在在同等分辨率下，来自主要半导体公司的模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的采样率比五年前的转换器要快好几个数量级。这些高速ADC的分辨率提高也为提供了更高的动态范围和更宽的瞬时带宽。动态范围是决定大工作范围的关键要素;例如，它使第五代战斗机能够识别更远的目标。更高瞬时带宽提供了诸多好处，包括通过脉冲压缩增加空间分辨率以及实现低截获概率（LPI）等技术。更高带宽带来的另一个趋势是传感器融合。使用传感器融合技术，您可以对单个信号链进行多个功能操作。例如，通过将多个频段上不同类型的波形分离开，宽带传感器可以同时用作为通信系统和。
3. 不断发展的FPGA技术提升认知的感知能力
FPGA技术也在不断发展。现代FPGA包含更多逻辑，提供更高的每瓦计算能力，并支持高达150 Gb/s的高速数据流和IP模块。当今的高FPGA计算能力为五年前根本无法实现的创新技术打开了大门。
4. 高带宽数据总线 加速各传感器的数据融合
另一个关键趋势是在将高带宽传感器数据传输回集中处理器进行计算时，PCI Express Gen 3,40/100 GbE、光纤通道和Xilinx Aurora等高带宽数据总线的重要性日益凸显。例如，F-35的集成核心处理器来自多个ISR传感器的数据，以便对这些数据进行集中处理。这有助于提高飞行员的情境感知能力。这一趋势的核心是高速串行收发器技术（也称为多千兆位收发器或MGT）的发展。近年来，该技术发展迅速，目前的线路速率达到每通道32 Gbps; 56 Gbps PAM4即将问世。FPGA通常被认为是处理资源，但它们也包含一些复杂的MGT，这使它们成为传感器开发的理想终端。
