大连高纯氮化铝靶材规格 AlN靶材
价格：600.00起
产品规格：
产品数量：
包装说明：
关 键 词：大连高纯氮化铝靶材规格
行 业：冶金 有色金属 铜
发布时间：2021-04-06
氮化铝特性
(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；
(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；
(5)纯度高；
(6)光传输特性好；
(7)无毒；
(8)可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。
在半导体工业中，用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成化稼，可以完全消除Si对化稼的污染而得到高纯产品
利用氮化铝陶瓷具有较高的室温和高温强度，膨胀系数小，导热性好的特性，可以用作高温结构件热交换器材料等
含有Si，Mg O的热压Al N制品。其导热系数达0．63W／cm．K，可以用作集成电路基板
