深圳市伟格兴电子科技有限公司是一家大型集成电路代理,分销商,公司在深圳.作为的集成电路分销商，我公司拥有丰富经验的IC销售人员，为客户提供全面的服务支持。我公司主要从事美国ADI、MAXIM，TI，ON，ST，FAIRCHILD，ADI，NXP等世界的IC和功率模块 GTR、IGBT、IPM、PIM可控硅 整流桥 二极管等，涵盖通信、半导体、仪器仪表、航天航空、计算机及周边产品、消费类电子等广泛领域。公司现货多，价格合理。经过我公司全体人员的共同努力， 深圳市伟格兴电子科技有限公司现已成为国有大、中型企业，企业，中小型分销商的可靠合作伙伴，业务遍及中国大陆及海外市场。 我公司在国外拥有直接的货源和存货，与国际上享有良好声誉的大量供应商建立了良好的长期合作关系。定货渠道好，周期短，以‘交货快捷、质量保证、价格合理’为服务的宗旨，保证所提供货品均为原包装。 我公司一贯坚持：“品质、服务至上”的发展宗旨以向用户提供系统 免费技术解决方案和满意的服务为己任。我们希望结交更多的合作伙伴，以合理的价格、的服务，与大家共同开创广阔的未来！同时也希望与业界同行进行广泛的交流与合作，共同为电子业繁荣发展作出自己的贡献！
bq2510x 系列器件是面向空间受限类便携式应用的高度集成锂离子和锂聚合物线性充电器。 具有输入过压保护的高输入电压范围支持低成本、未稳压的适配器。
bq2510x 具有一个可为电池充电的电源输出。 如果在 10 小时的安全定时器期间内平均系统负载无法让电池充满电，则可以使系统负载与电池并联。
电池充电经历以下三个阶段：调节，恒定电流和恒定电压。 在所有充电阶段，内部控制环路都会 IC 结温，当其超过内部温度阈值时，它会减少充电电流。
充电器功率级和充电电流感测功能均完全集成。 该充电器具有高精度电流和电压调节环路以及充电终止功能。 预充电电流和终止电流阈值可通过 bq2510x 上的一个外部电阻进行编程。 快速充电电流值也可通过一个外部电阻进行编程。
PACKAGE RTHJA POWER RATING POWER RATING POWER RATING
28-Pin HTSSOP 28°C/W (PowerPAD(1) soldered) 3.57 W 1.96 W 1.42 W
(1) See Texas Instruments application report SLMA002 regarding thermal characteristics of the PowerPAD package.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
MIN NOM MAX UNIT
VS Output voltage range of the main boost converter(1) 19 V
Input capacitor at VINB 2×22 μF
CIN Input capacitor AVIN 1 μF
Inductor boost converter(2) 10
L μH
Inductor buck converter(2) 15
V(LOGIC) Output voltage range of the step-down converter V(LOGIC) 1.8 5.0 V
Output capacitor boost converter 3×22
CO μF
Output capacitor buck converter 2×22
TA Operating ambient temperature –40 85 °C
TJ Operating junction temperature –40 125 °C
(1) The maximum output voltage is limited by the overvoltage protection threshold and not be the maximum switch voltage rating.
(2) See application section for further information.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VIN = 12 V, SUP = VIN, EN1 = EN2 = VIN, VS = 15 V, V(LOGIC) = 3.3 V, TA = –40°C to 85°C, typical values are at TA = 25°C
(unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
SUPPLY CURRENT
VIN Input voltage range 8 14.7 V
VGH = 2 × VS, Quiescent current into AVIN 0.2 2
Boost converter not switching
IQ mA
VGH = 2 × VS, Quiescent current into VINB 0.2 0.5 Buck converter not switching
Shutdown current into AVIN EN1 = EN2 = GND 0.1 2
ISD μA
Shutdown current into VINB EN1 = EN2 = GND 0.1 2
Shutdown current into SUP EN1 = EN2 = GND 0.1 4 μA
I(SUP) Quiescent current into SUP VGH = 2 × VS 0.2 2 mA
TPS65161, TPS65161A; VIN falling. 6 6.4
VUVLO Undervoltage lockout threshold V
TPS65161B; VIN falling. 8 8.8
Vref Reference voltage 1.203 1.213 1.223 V
Thermal shutdown Temperature rising 155 °C
Thermal shutdown hysteresis 5 °C
LOGIC SIGNALS EN1, EN2, FREQ
VIH High-level input voltage EN1, EN2 2.0 V
VIL Low-level input voltage EN1, EN2 0.8 V
VIH High-level input voltage FREQ 1.7 V
VIL Low-level input voltage FREQ 0.4 V
IIkg Input leakage current EN1 = EN2 = FREQ = GND or VIN 0.01 0.1 μA
TLV和TPS一般会有pin to pin的对应型号；
一般来讲，TPS精度、准确度和性能会好一些，所以价钱要贵一些；
对应TLV就是一样可以实现上述功能，但是精度和性能等级是稍微低一点的；
具体选择原则，这个要看你的需求了，需要高性能就采用TPS，如果更看重成本可以选择TLV；
TPS的意思就是Ti Performance Solution, TLV 就是就是高性价比（Low Value）。
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
VIN = 12 V, SUP = VIN, EN1 = EN2 = VIN, VS = 15 V, V(LOGIC) = 3.3 V, TA = –40°C to 85°C, typical values are at TA = 25°C
(unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
NEGATIVE CHARGE-PUMP VGL
VO Output voltage range –2 V
V(FBN) Feedback regulation voltage –36 0 36 mV
I(FBN) Feedback input bias current 10 100 nA
TPS65161, TPS65161A; IOUT = 20 mA 4.4
rDS(on) Q4 P-Channel switch rDS(on) Ω
TPS65161B; IOUT = 20 mA 3.7
I(DRN) = 50 mA, 0.13 0.19
TPS65161, V(FBN) = V(FBN)nominal –5%
TPS65161A I(DRN) = 100 mA, 0.27 0.42 V(FBN) = V(FBN)nominal –5%
V(DropN) Current sink voltage drop (3) V
I(DRN) = 100 mA, 0.24 0.42 V(FBN) = V(FBN)nominal –5%
TPS65161B
I(DRN) = 200 mA, 0.52 0.90 V(FBN) = V(FBN)nominal –5%
POSITIVE CHARGE-PUMP OUTPUT VGH
V(FBP) Feedback regulation voltage 1.187 1.213 1.238 V
I(FBP) Feedback input bias current 10 100 nA
rDS(on) Q3 N-Channel switch rDS(on) IOUT = 20 mA 1.1 Ω
I(DRP) = 50 mA, 0.40 0.68
TPS65161, V(FBP) = V(FBP)nominal –5%
TPS65161A I(DRP) = 100 mA, 0.85 1.60
Current source voltage drop V(FBP) = V(FBP)nominal –5%
V(DropP) V
(V(SUP) – V(DRP))
(4) I(DRP) = 100 mA, 0.63 1.60 V(FBP) = V(FBP)nominal –5%
TPS65161B
I(DRP) = 200 mA, 1.40 3.20 V(FBP) = V(FBP)nominal –5%
(3) The maximum charge-pump output current is typically half the drive current of the internal current source or current sink.
(4) The maximum charge-pump output current is typically half the drive current of the internal current source or current sink.
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