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气隙放电对测试结果带来的种种病,在1991年出版的IEC801-2标准草案中得到改正,草案决定用接触放电为放电方式.仍保留气隙放电作为对非导电性表面的设备(如塑料机箱,或表面复有绝缘物的金属外壳)的试验方式.这种情况一直延续到IEC61000-4-2标准的颁布.
静电放电模 式
目前工业界大致定义了以下三种常见静电放电模式：
1.HBM人体模式：
人体模式是ESD模型中建立早和主要的模型, 在IC制造和使用过程中, 人体和IC接触的机会多, 由人体静电损伤造成IC失效的比例也, 而且在实际应用中, 工业界也大多采用HBM模式来标注IC的静电等级. 人体模式指人体在地上走动、摩擦或者其他因素在人体上已积累了静电, 当此人直接接触IC时, 人体上的静电便会经IC管脚进入IC内, 再由IC 放电到地. 此放电过程会在短至几百纳秒的时间内产生数安培的瞬间放电电流, 此电流会把IC内部元件烧毁.
2.机器放电模式：
机器本身积累了静电, 当此机器接触IC时, 该静电便经过IC 管脚放电. 金属制造的机器放电等效电阻极小, 因此其放电过程更短, 在几纳秒到几十纳秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生, 因此对元件的破坏力更大.
3.CDM充电元器件模式：
因摩擦或接触到其他物体的静电电荷, IC内部积累了静电, 但在静电积累的过程中IC没有受伤. 此带有静电的IC在处理过程中, 当其pin直接接地或间接接地时, 静电便会经过pin从IC的内部释放, 从而造成放电现象. 此种模式的放电时间更短, 放电上升时间小于1nS, 尖峰电流15安培, 持续时间小于10纳秒。
静电放电ESD测试布局
ESD脉冲具有亚纳秒的上升时间，因此射频布局预防措施至关重要。
1.测试必须重新创建实际发现的上升时间，因为这是决定放电通过EUT的路径和EUT本身的响应的重要参数。接地参考平面（GRP）是设置的组成部分，发电机的返回引线必须与其良好连接，因为此连接形成电流返回路径的一部分。
2.测试的间接放电部分使用另外两个不同于GRP的平面，称为水平耦合平面（HCP）和垂直耦合平面（VCP）。这些飞机的放电模拟了从现实生活中放射到附近物体的辐射场所产生的应力。
3.每个耦合平面通过电阻引线连接到GRP，以确保任何电荷在几微秒内流出。这些引线的结构至关重要：每端应靠近一个电阻，使它们之间的引线长度与连接隔离，并且与它的杂散耦合被中和。
4.虽然额定功率并不重要，但电阻器本身应能承受高脉冲dV / dt而不会损坏，因此碳成分类型适合。
5.对于几十纳秒的ESD事件，该平面承载全应力电压，该电压电容耦合到EUT。从平面到EUT以外的物体的任何杂散电容都会平面的电压和电流波形，从而所施加的应力。
6.因此，重要的是在EUT周围保持至少1米的净空间，这意味着桌面设置与墙壁或其他物体有一些分离。
7.同样，从VCP到EUT的分离规定为10cm; 即使这个距离的微小变化也会导致与EUT的耦合发生很大的变化，因此控制它的便利方法，例如平面表面上的塑料10cm间隔物，是有帮助的。
ESD测试-接触放电
在接触放电方法中，应力可以直接施加到EUT或邻近EUT的耦合平面。在每个测试脉冲之前，电容器充电到所需的电平，但其电压通过真空继电器保持在发生器的探头上。
将探针应用于EUT或耦合平面上的适当选择的点。然后触发发电机，使继电器触点闭合，电容器电压通过探头施加到EUT。
当电压通过发生器，EUT和接地平面的组合串联阻抗放电时，这会产生电流脉冲。在每个位置以适当的极性和水平重复该动作所需的次数。
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