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关 键 词：M7512B电源芯片
行 业：电子 电子有源器件 专用集成电路
发布时间：2021-02-25
深圳市伟格兴电子科技有限公司是一家大型集成电路代理,分销商,公司在深圳.作为的集成电路分销商，我公司拥有丰富经验的IC销售人员，为客户提供全面的服务支持。我公司主要从事美国ADI、MAXIM，TI，ON，ST，FAIRCHILD，ADI，NXP等世界的IC和功率模块 GTR、IGBT、IPM、PIM可控硅 整流桥 二极管等，涵盖通信、半导体、仪器仪表、航天航空、计算机及周边产品、消费类电子等广泛领域。公司现货多，价格合理。经过我公司全体人员的共同努力， 深圳市伟格兴电子科技有限公司现已成为国有大、中型企业，企业，中小型分销商的可靠合作伙伴，业务遍及中国大陆及海外市场。 我公司在国外拥有直接的货源和存货，与国际上享有良好声誉的大量供应商建立了良好的长期合作关系。定货渠道好，周期短，以‘交货快捷、质量保证、价格合理’为服务的宗旨，保证所提供货品均为原包装。 我公司一贯坚持：“品质、服务至上”的发展宗旨以向用户提供系统 免费技术解决方案和满意的服务为己任。我们希望结交更多的合作伙伴，以合理的价格、的服务，与大家共同开创广阔的未来！同时也希望与业界同行进行广泛的交流与合作，共同为电子业繁荣发展作出自己的贡献！
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
VIN = 12 V, SUP = VIN, EN1 = EN2 = VIN, VS = 15 V, V(LOGIC) = 3.3 V, TA = –40°C to 85°C, typical values are at TA = 25°C
(unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
CONTROL AND SOFT START DLY1, DLY2, SS
I(DLY1) Delay1 charge current 3.3 4.8 6.2 μA
I(DLY2) Delay2 charge current V(THRESHOLD) = 1.213 V 3.3 4.8 6.2 μA
ISS SS charge current 6 9 12 μA
INTERNAL OSCILLATOR
FREQ = high 600 750 900
fOSC Oscillator frequency kHz
FREQ = low 400 500 600
BOOST CONVERTER (VS)
VS Output voltage range(1) 19 V
V(FB) Feedback regulation voltage 1.136 1.146 1.156 V
I(FB) Feedback input bias current 10 100 nA
N-MOSFET on-resistance (Q1) I(SW) = 500 mA 100 185 mΩ
rDS(on) P-MOSFET on-resistance (Q2) I(SW) = 200 mA 10 16 Ω
IMAX Maximum P-MOSFET peak switch current 1 A
ILIM N-MOSFET switch current limit (Q1) TPS65161 2.8 3.5 4.2 A
ILIM N-MOSFET switch current limit (Q1) TPS65161A 3.7 4.6 5.5 A
Ilkg Switch leakage current V(SW) = 15 V 1 10 μA
OVP Overvoltage protection VOUT rising 19.5 20 21 V
10.6 V ≤ VIN ≤ 11.6 V
Line regulation 0.0008 %/V at 1 mA
Load regulation 0.03 %/A
GATE DRIVE (GD)
V(GD) Gate drive threshold(2) V(FB) rising VS-12% VS-8% VS-4% V
VOL GD output low voltage I(sink) = 500 μA 0.3 V
GD output leakage current V(GD) = 20 V 0.05 1 μA
STEP-DOWN CONVERTER (V(LOGIC))
V(LOGIC) Output voltage range 1.8 5 V
V(FBB) Feedback regulation voltage 1.195 1.213 1.231 V
I(FBB) Feedback input bias current 10 100 nA
rDS(on) N-MOSFET on-resistance (Q5) I(SW) = 500 mA 175 300 mΩ
ILIM N-MOSFET switch current limit (Q5) 2.5 3.2 3.9 A
Ilkg Switch leakage current V(SW) = 0 V 1 10 μA
10.6 V ≤ VIN ≤ 11.6 V
Line regulation 0.0018 %/V at 1 mA
Load regulation 0.037 %/A
(1) The maximum output voltage is limited by the overvoltage protection threshold and not be the maximum switch voltage rating.
(2) The GD signal is latched low when the main boost converter output VS is within regulation. The GD signal is reset when the input
voltage or enable of the boost converter is cycled low.
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Table of Contents
1 Features.................................................................. 1 7.4 Device Functional Modes........................................ 27
2 Applications ........................................................... 1 7.5 Programming........................................................... 35
7.6 Register Maps......................................................... 40 3 Description ............................................................. 1
8 Application and Implementation ........................ 48 4 Revision History..................................................... 2
8.1 Application Information............................................ 48 5 Pin Configuration and Functions......................... 3
8.2 Typical Applications ................................................ 49 6 Specifications......................................................... 5
8.3 System Examples ................................................... 52 6.1 Absolute Maximum Ratings ...................................... 5
9 Power Supply Recommendations...................... 53 6.2 ESD Ratings.............................................................. 5
9.1 LDO1 Output Voltage Adjustment........................... 53 6.3 Recommended Operating Conditions....................... 5
10 Layout................................................................... 53 6.4 Thermal Information.................................................. 6
10.1 Layout Guidelines ................................................. 53 6.5 Electrical Characteristics........................................... 6
10.2 Layout Example .................................................... 54 6.6 Battery Charger Electrical Characteristics ................ 9
6.7 Serial Interface Timing Requirements..................... 11 11 Device and Documentation Support ................. 55
6.8 Dissipation Ratings ................................................ 11 11.1 Third-Party Products Disclaimer ........................... 55
6.9 Typical Characteristics ............................................ 12 11.2 Community Resources.......................................... 55
11.3 Trademarks ........................................................... 55 7 Detailed Description ............................................ 17
11.4 Electrostatic Discharge Caution............................ 55 7.1 Overview ................................................................. 17
11.5 Glossary ................................................................ 55 7.2 Functional Block Diagram ....................................... 18
7.3 Feature Description................................................. 19 12 Mechanical, Packaging, and Orderable
Information ........................................................... 55
bq2510x 系列器件是面向空间受限类便携式应用的高度集成锂离子和锂聚合物线性充电器。 具有输入过压保护的高输入电压范围支持低成本、未稳压的适配器。
bq2510x 具有一个可为电池充电的电源输出。 如果在 10 小时的安全定时器期间内平均系统负载无法让电池充满电，则可以使系统负载与电池并联。
电池充电经历以下三个阶段：调节，恒定电流和恒定电压。 在所有充电阶段，内部控制环路都会 IC 结温，当其超过内部温度阈值时，它会减少充电电流。
充电器功率级和充电电流感测功能均完全集成。 该充电器具有高精度电流和电压调节环路以及充电终止功能。 预充电电流和终止电流阈值可通过 bq2510x 上的一个外部电阻进行编程。 快速充电电流值也可通过一个外部电阻进行编程。
TLV和TPS一般会有pin to pin的对应型号；
一般来讲，TPS精度、准确度和性能会好一些，所以价钱要贵一些；
对应TLV就是一样可以实现上述功能，但是精度和性能等级是稍微低一点的；
具体选择原则，这个要看你的需求了，需要高性能就采用TPS，如果更看重成本可以选择TLV；
TPS的意思就是Ti Performance Solution, TLV 就是就是高性价比（Low Value）。
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