OA-2040-112H电源芯片
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行 业：电子 电子有源器件 专用集成电路
发布时间：2021-02-07
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可以看到晶体管的源漏电流Ids是栅源电压Vgs的函数，其中包含两项与温度相关参数：载流有效电子迁移率μ和阈值电压Vth。高的Vgs电压会导致高的Ids或高的功率放大器。Ids还取决于漏极电压，但是一般情况下会固定Vd的电压。会使用优化后的Vd电压以获得所需的功率水平。 Vd值对于GaN FET，通常约为50 V；对于LDMOS FET，通常约为28V。
图是方程的图形表述形式。驱动一个小的RF输入信号，使其叠加到DC栅极电压上，从而产生AC漏极电流 。该AC电流围绕静态电流值 振荡。可利用MOSFET晶体管I-V曲线和负载线分析来找到相应的AC漏极电压 。
集成方案实现GaN功率放大器的监测和控制
为减少器件数量，TI推出了许多新器件，具有集成了多通道ADC、DAC、精密参考和温度检测等功能。AMC7932就是将多通道12bit ADC，多功能GPIO，高边电流检测，多通道分组双极性电压输出12bit DAC以及温度等通用监测和控制所需的所有功能和特性集成到一起。
为了确定PA的优偏置状态，必须在功放的线性度、效率和增益等参数之间进行平衡。通过对漏极偏流的控制，使其随温度和时间的变化而保持恒定的值，可改善功放的总性能，同时又可确保功放工作在调整的输出功率范围之内。目前常用的方法是动态控制功放的栅极电压，首先量化PA的漏极电流和工作温度，通过计算生成偏置电压的数字控制量，通过DAC或电阻设定所需的偏置，使功放工作在所需的偏置状态，以实现优的性能，而无论电压、温度和其他环境参数如何变化。
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