MNT-104-BK-G数据表 datasheet 全新原装
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关 键 词：MNT-104-BK-G数据表
行 业：仪器仪表 集成电路 IC集成电路
发布时间：2021-02-06
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HMC787LC3B是采用RoHS兼容无铅SMT封装的通用双平衡混频器，可用作3至10 GHz之间的上变频器或下变频器。 该混频器采用GaAs MESFET工艺制造，不需要外部组件或匹配电路。 由于优化了巴伦结构，HMC787LC3B提供了出色的LO toRF和LO至IF隔离，并且LO驱动电平为+17 dBm。 陶瓷SMT封装消除了对引线键合的需求，并且与大批量表面贴装制造技术兼容。
AD670是一款完整的8位信号调理模数转换器。 它由一个仪表放大器前端以及一个DAC，比较器，逐次逼近寄存器（SAR），精密电压基准以及一个单芯片上的三态输出缓冲器组成。 无需外部组件或用户调整即可将模拟系统与8位数据总线完全连接。 AD670将采用+5 V系统电源供电。 输入级提供具有出色的共模抑制性能的差分输入，并允许直接连接到各种传感器。
中国半导体去美化政策，射频前端元件已逐渐选用日系及台系制造商做取代
由于国家通讯基础建设等需求，现行5G基地台设备中的关键零组件之功率放大器(PA)，其发展性逐渐受到重视。
进一步探讨目前主要制造厂商状况，可分为IDM厂与制造代工厂。其中，IDM厂分为美系厂商(如Qorvo、MACOM与Wolfspeed等)，以及日系厂商(如Sumitomo Electric、Murata等)两大阵营，而制造代工厂则以台系厂家稳懋、环宇及汉磊等为主要。
针对对于厂商使用的半导体商品已提出去美化政策，现阶段射频前端元件仍须依赖日系IDM厂及台系制造代工厂，借此摆脱美国提出的限令，并持续投入中国相关基地台之布建，加速5G发展时程。
中国射频前端元件商仍处发展阶段，技术尚待持续投入人力及开发资源
依目前发展情形，现阶段基地台设备内使用之功率放大器元件，中国厂商仍处于开发阶段，相较于其他国际大厂(IDM厂及制造代工厂)，中国厂商的技术能量较为薄弱，相关技术还有很长的路要走。
发展中的中国IDM厂，目前有苏州能讯、英诺赛科与大连芯冠科技等；而制造厂代工厂则有海威华芯和三安集成等，现阶段皆以提供内需之射频前端元件等制造需求为主。
就现行中国射频前端元件市场情形而言，无论是IDM厂及制造代工厂的制程技术仍属于弱势，主要瞄准中、低市场需求。
假若未来中国厂商于技术开发上持续投入人力及开发资源，将有机会逐步赶上国际主流功率放大器元件大厂的发展脚步。
AD7711是一款适合低频测量应用的完整模拟前端，可直接接受来自传感器的低电平信号，并产生串行数字输出。它采用Σ-Δ转换技术，可实现高24位无失码性能。输入信号加在一个以模拟调制器为基础的专有可编程增益前端。调制器输出由片内数字滤波器处理。此数字滤波器的个陷波可通过片内控制寄存器进行编程，以便对滤波器截止和建立时间进行调整。
