T673-1250-62-N
价格：220.00起
产品规格：
产品数量：
包装说明：
关 键 词：T673-1250-62-N
行 业：电子 电子有源器件 二极管模组
发布时间：2021-01-28
特价供应WESTCODE、英飞凌、infineon、POWEREX等品牌型号系列电力电子元器件。原装英国西码WESTCODE N系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列、SW系列普通二极管
晶闸管
T580N02TOF
T580N04TOF
T580N06TOF
T690N02TOF
T690N04TOF
T690N06TOF
T920N02TOF
T920N04TOF
T920N06TOF
T1080N02TOF
T1080N04TOF
T1080N06TOF
T1410N02TOF
T1410N04TOF
T1410N06TOF
T2510N02TOF
T2510N04TOF
T2510N06TOF
T3710N02TOF
T3710N04TOF
T3710N06TOF
T300N12TOF
T300N14TOF
T300N16TOF
T300N18TOF
T390N12TOF
T390N14TOF
T390N16TOF
T430N12TOF
T430N14TOF
T430N16TOF
T430N18TOF
T470N12TOF
T470N14TOF
T470N16TOF
T420N12TOF
T420N14TOF
T420N16TOF
T420N18TOF
T560N12TOF
T560N14TOF
T560N16TOF
T560N18TOF
T345N12TOF
T345N14TOF
T345N16TOF
T345N18TOF
T640N12TOF
T640N14TOF
T640N16TOF
T640N18TOF
T680N12TOF
T680N14TOF
T720N12TOF
T720N14TOF
T720N16TOF
T830N12TOF
T830N14TOF
T830N16TOF
T880N12TOF
T880N14TOF
T880N16TOF
T880N18TOF
T940N12TOF
T940N14TOF
T940N16TOF
T940N18TOF
T1190N12TOF
T1190N14TOF
T1190N16TOF
T1190N18TOF
T2180N12TOF
T2180N14TOF
T2180N16TOF
T2180N18TOF
T3160N12TOF
T3160N14TOF
T3160N16TOF
T3160N18TOF
T360N20TOF
T360N22TOF
T360N24TOF
T360N26TOF
T460N20TOF
T460N22TOF
T460N24TOF
T460N26TOF
T660N20TOF
T660N22TOF
T660N24TOF
T660N26TOF
T740N20TOF
T740N22TOF
T740N24TOF
T740N26TOF
T700N18TOF
T700N20TOF
T700N22TOF
T1040N18TOF
T1040N20TOF
T1040N22TOF
T1220N20TOF
T1220N22TOF
T1220N24TOF
T1220N26TOF
T1220N28TOF
T1330N18TOF
T1330N20TOF
T1330N22TOF
T1590N20TOF
T1590N22TOF
T1590N24TOF
T1590N26TOF
T1590N28TOF
T1960N18TOF
T1960N20TOF
T1960N22TOF
T2160N20TOF
T2160N22TOF
T2160N24TOF
T2160N26TOF
T2160N28TOF
T2480N22TOF
T2480N24TOF
T2480N26TOF
T2480N28TOF
T2810N16TOF
T2810N18TOF
T2810N20TOF
T2810N22TOF
T860N32TOF
T860N34TOF
T860N36TOF
T930N32TOF
T930N34TOF
T930N36TOF
T1930N30TOF
T1930N32TOF
T1930N34TOF
T1930N36TOF
T1930N38TOF
T1800N42TOF
高电压
T201N60TOH
T201N62TOH
T201N64TOH
T201N66TOH
T201N68TOH
T201N70TOH
T281N60TOF
T281N62TOF
T281N64TOF
T281N65TOF
T571N60TOF
T571N62TOF
T571N64TOF
T571N65TOF
T501N60TOH
T501N62TOH
T501N64TOH
T501N66TOH
T501N68TOH
T501N70TOH
T551N60TOF
T551N62TOF
T551N64TOF
T551N66TOF
T551N68TOF
T551N70TOF
T1620N65TOF
T1081N60TOH
T1081N62TOH
T1081N65TOH
T1081N66TOH
T1081N68TOH
T1081N70TOH
T1201N60TOH
T1201N62TOH
T1201N64TOH
T1201N66TOH
T1201N68TOH
T1201N70TOH
T1651N60TOH
T1651N62TOH
T1651N64TOH
T1651N66TOH
T1651N68TOH
T1651N70TOH
T1851N60TOH
T1851N62TOH
T1851N64TOH
T1851N66TOH
T1851N68TOH
T1851N70TOH
T1901N70TOH
T1901N72TOH
T1901N74TOH
T1901N76TOH
T1901N78TOH
T1901N80TOH
T2251N70TOH
T2251N72TOH
T2251N74TOH
T2251N76TOH
T2251N78TOH
T2251N80TOH
T2871N70TOH
T2871N72TOH
T2871N74TOH
T2871N76TOH
T2871N78TOH
T2871N80TOH
T3011N70TOH
T3011N72TOH
T3011N74TOH
T3011N76TOH
T3011N78TOH
T3011N80TOH
晶闸管的选用
1、选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通单向晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。
2、选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的工作电压和工作电流1．5～2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
晶闸管的工作过程
晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管。
当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此是两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流分别为IC1和IC2,发射极电流相应为Ia和Ik,电流放大系数相应为α1=IC1/Ia和α2=IC2/Ik,设流过J2结的反相漏电流为ICO,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:
Ia=IC1+IC2+ICO
=α1Ia+α2Ik+ICO (1)
若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为:Ik=Ia+Ig。
硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数α1和α2随其发射极电流的改变而急剧变化。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未接受电压的情况下,式(1)中Ig=0,(α1+α2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈ICO,晶闸管处于正向阻断状态;当晶闸管在正向门极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高放大系数α2,产生足够大的集电极电流IC2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数α1,产生更大的集电极电流IC1流经NPN管的发射结,这样强烈的正反馈过程迅速进行。
当α1和α2随发射极电流增加而使得(α1+α2)≈1时,式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia。这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定,晶闸管已处于正向导通状态。晶闸管导通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通,门极已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断地减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于α1和α2迅速下降,晶闸管恢复到阻断状态。
晶闸管的发展历史及制约因素
半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为代表的微电子器件，特点为小功率、集成化，作为信息的检出、传送和处理的工具；而另一类就是电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年，美国通用电气公司研发了世界上个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器（SR），1957年又开发了全球用于功率转换和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它们具有体积小、重量轻、效率高、寿命长的优势，尤其是SCR能以微小的电流控制较大的功率，令半导体电力电子器件成功从弱电控制领域进入了强电控制领域、大功率控制领域。在整流器的应用上，晶闸管迅速取代了整流器（引燃管），实现整流器的固体化、静止化和无触点化，并获得巨大的节能效果。从1960年始，由普通晶闸管相继出了快速晶闸管、光控晶闸管、不对称晶闸管及双向晶闸管等各种特性的晶闸管，形成一个庞大的晶闸管家族。
但晶闸管本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶闸管属于半控型器件，通过门极（控制极）只能控制其开通而不能控制其关断，导通后控制极即不再起作用，要关断必须切断电源，即令流过晶闸管的正向电流小于维持电流。由于晶闸管的关断不可控的特性，必须另外配以由电感、电容及辅助开关器件等组成的强迫换流电路，从而使装置体积增大，成本增加，而且系统更为复杂、可靠性降低。二是因为此类器件立足于分立元件结构，开通损耗大，工作频率难以提高，限制了其应用范围。1970年代末，随着可关断晶闸管（GTO）日趋成熟，成功克服了普通晶闸管的缺陷，标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件
