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电源管理半导体本中的主导部分是电源管理IC，大致可归纳为8大类：1、AC/DC调制IC：内含低电压控制电路及高压开关晶体管。2、DC/DC调制IC：包括升压/降压调节器，以及电荷泵。3、功率因数控制PFC预调制IC：提供具有功率因数校正功能的电源输入电路。4、脉冲调制或脉幅调制PWM/ PFM控制IC：为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器，用于驱动外部开关。5、线性调制IC：如线性低压降稳压器LDO等，包括正向和负向调节器，以及低压降LDO调制管。6、电池充电和管理IC：包括电池充电、保护及电量显示IC，以及可进行电池数据通讯智能电池 IC。7、热插板控制IC：免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响。8、MOSFET或IGBT的开关功能ic。PN8570集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8570 为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统 满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电 阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短 路保护和CS开/短路保护等，同时还集成AC过压保护功能。PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。PN8366产品特点：内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准全电压输入范围±5%的CC/CV精度原边反馈可省光耦和TL431恒压、恒流、输出线补偿外部可调无需额外补偿电容无音频噪声智能保护功能 过温保护 (OTP) VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP) 逐周期过流保护 (OCP) CS开/短路保护 (CS O/SP） 开环保护 (OLP)PN8275产品特征：■ 内置高压启动电路■ QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode混合模式提高效率■ 自适应PWM开关频率65/85kHz，减小变压器体积■ 内置输入欠压保护(PN8275)■ 内置输入过压保护(PN8275P)■ 内置X电容放电功能(通过IEC62368-1:2014认证)■ 空载待机功耗< 50 mW @230VAC■ 改善EMI的频率调制技术■ 供电电压8~40V，适合宽输出电压应用■ 线电压补偿外部可调■ 优异全面的保护功能 过温保护 (OTP) 输出过压保护 逐周期过流保护 (OCP) 输出开/短路保护 专利的DMG电阻短路保护(Latch模式) 次级整流管短路保护 过负载保护（OLP）PN8366M小功率电源适配器ic六级能效5V/1.2A适配器应用方案：■ 输出规格5V/1.2A■ 内置高压启动+多工作模式+专利谷底开通技术，满足六级能效标准■ 双段驱动技术，EMC性能优越，无需Y电容及输出共模电感PN8366M小功率电源适配器ic六级能效6W适配器应用方案：■ 输出规格：12V/0.5A■ 集成专利高压启动模块+低工作电流，待机功耗＜50mw，10%负载效率裕量充足■ PFM+PWM+QR多工作模式提高平均效率，满足六级能效要求，消除异音■ 方案精简：无需启动线路、去Y电容。■ 可通过6KV Surge测试
