价格：600.00起
0
联系人：
电话：
地址：
在半导体工业中，用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成砷化稼，可以完全消除Si对砷化稼的污染而得到高纯产品氮化铝特性(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；(5)纯度高；(6)光传输特性好；(7)无毒；(8)可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。产品的热压温度为1800 oC，压力30时间30min．加入CaF 2可以减少AI N的摩擦系数，因此可用作潜水泵减磨零件。氮化铝可用于作真空蒸发和熔炼金属的容器，特别适于作真空蒸发铝的坩埚，因为氮化铝在真空中加热蒸汽压低，即使分解，也不会污染铝
