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MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏电流ID。当栅电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏电流ID随着栅电压的变化而变化。MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源接地时的情况（低端驱动），只要栅电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。MOS管（场效应管）的应用领域1：工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源2：新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机3：交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车4：绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器韩国金胜特半导体器件，功耗低，升温低，可靠性高，稳定，性价比高！产品名称 产品型号 封装 代替或兼容MOS管 JST2N60U TO-251 FQU2N60/STD2NK60Z-1JST2N60D TO-252 FQD2N60/STD2NK60ZT4JST2N60P TO-220 FQP2N60/STP2NK60ZJST2N60F TO-220F FQPF2N60C/STF2NK60ZJST5N60P TO-220 FQP5N60C/KHB4D5N60PJST5N60F TO-220F FQPF5N60C/KHB4D5N60FJST5N65F TO-220F 4N65/5N65JST8N60P TO-220 FQP8N60C/MDP8N60THJST8N60F TO-220F FDPF7N60NZ/MDP8N60THJST8N65F TO-220F 7N65/8N65JST10N60F TO-220F FDPF10N60NZ/STP10N60ZFPJST10N65F TO-220F 10N65JST12N60F TO-220F FDPF12N60NZ/STF12N60ZJST12N65F TO-220F 12N65/JST8N80F TO-220F FQPF8N80C/STP8N80ZFPJST7N80F TO-220F FQPF7N80C/STP7N80ZFPJST6N80F TO-220F FQPF6N80C/2SK2605JST9N90F TO-3P FQPF9N90C/STP9NK90ZJST50N06F TO-220 FQPF50N06/STP50N06F1IRF3205 TO-220 IRF3205PBF
