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随着电子信息产业的高速发展,电子产品向小型化、智能化、多功能、高可靠性方向发展。在集成电路芯片尺寸逐步缩小,集成度不断提高的情况下,电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求,因此半导体芯片键合区的质量直接影响到集成电路器件的可靠性。半导体芯片是通过在半导体片材上进行浸蚀,布线,制成的能实现某种功能的半导体器件。制造过程中需要在半导体芯片的表面电镀一层铝作为有源区金属层,参加电化学反应,在半导体芯片与框架键合步骤中,通常会采用锡铅焊料焊接,因此在真空回流焊后,芯片表面以及周边会残留大量助焊剂污染物;但残留的助焊剂会导致芯片表面的铝层变色,表面张力降低,如不清洗将直接影响到后续金线和铝层的键合失效,以及会降低后续封装过程的可靠性。水基LED芯片清洗剂采用烷基醇酰胺烷氧基聚氧乙烯醚、失水山梨醇脂肪酸烷氧基聚氧乙烯醚等制成水基型LED芯片清洗剂,虽然对LED芯片清洗率达99 .5%,但对复杂的半导体芯片的清洗往往达不到预想的要求,而且而且由于清洗剂组分复杂,多种成分不易直接获得,需经过多步反应得到,不够经济实用。而且清洗剂中需大量的三氟乙醇溶剂,会对人体的生殖系统造成损害,仍存在氟,如果清楚不彻底,长期也会造成键合失效。由于led芯片是一种固态的半导体器件,就是一个P-N结,它可以直接把电转化为光。led芯片的组成:由金垫、P极、N极、PN结、背金层构成(双pad芯片无背金层)组成。因此半导体芯片和LED芯片相比在组成上有较大不同,组分更加复杂,而且结构更加精细,其中的苯甲酸钠、苯甲酸胺或水杨酸钠对半导体芯片的铝层仍具有一定的腐蚀性,因此LED芯片的清洗剂并不能适用半导体芯片的清洗要求W3110水基清洗剂处理铜、铝,特别是镍等敏感材料时确保了的材料兼容性,除金属外对各种保护膜也有很好的兼容性。清洗液非常低的表面张力能够有效清除元器件底部细小间隙中的残留物,并能够轻易的被去离子水漂洗干净。器件制程工艺所存在的污染物既然是要清洗制程中的污染物,就需要关注器件制程工艺所存在的污染物,比如:焊膏残留、锡膏残留等其他的污染物,评价污染物对器件造成可靠性的影响,比如:电化学腐蚀,化学离子迁移和金属迁移等等,这样就能对所有污染物做一个全面的认知,确定哪些污染物需要通过清洗的方式去除,从而保障器件的终技术要求。污染物可清洗性决定了清洗工艺和设备选择,免洗锡膏还是水溶性锡膏,锡膏的类型不同,残留物的可清洗性特征也不同,清洗的工艺方式和清洗剂的选择也随之不同。识别和确定SIP、POP、IGBT工艺制程中污染物是做好清洗的重要前提。SIP、POP或IGBT精密器件所需要的洁净度技术指标首先要关注到所生产的SIP、POP或IGBT精密器件所需要的洁净度技术指标,根据洁净度的要求来做清洗的工艺选择。所从事的产品类别不同,应用场景不同,使用条件和环境不同,对器件洁净度的要求也有所不同,根据器件的各项技术要求来决定洁净度指标。包括外观污染物残留允许量和表面离子污染度指标水平,才能准确定义器件工艺制程中所要达到的洁净度要求。避免可能的电化学腐蚀和化学离子迁移失效现象。功率器件和半导体封装前通常会使用助焊剂和锡膏等作为焊接辅料,这些辅料在焊接过程或多或少都会有部分残留物,还包括制程中沾污的指印、汗液、角质和尘埃等污染物。同时,功率器件和半导体的引线框架组装了铝、铜、铂、镍等敏感金属等相当脆弱的功能材料。这些敏感金属和特殊功能材料对清洗剂的兼容性提出了很高的要求。