价格：0.10起
0
联系人：
电话：
地址：
肖特基二管封装：肖特基二管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二管通常作为高频大电流整流二管、续流二管或保护二管使用。它有式和对管（双二管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负相连）、共阳（两管的正相连）和串联（一只二管的正接另一只二管的负）三种管脚引出方式。采用表面封装的肖特基二管有型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴层，其作用是减小阴的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳金属接电源正，N型基片接电源负）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正，以N型半导体B为负，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。肖特基二管是由贵金属金、铝、银、铂等A为正，以N型半导体B为负，然后利用二者接触面之间上形成的势垒一种具有整流特性制成的金属半导体器件。肖特基二管由于N型半导体中存在大量电子，而贵金属中仅有少量自由电子，肖特基二管中的电子便从浓度高的B向浓度低A中扩散。肖特基二管金属A中没有空穴，不存在空穴自A向B扩散运动。随着肖特基二管中电子不断从B扩散到A，B的表面电子浓度逐渐降低，表面电中性破坏，于是形成势垒。
