价格：500.00起
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结果表明:随氮分压的增大,Ta N薄膜的微结构明显变化,同时Ta N薄膜的方阻也有显著增大趋势;随着沉积温度的提高,Ta N薄膜的方阻有减小趋势,当温度达到400℃时,制备出了方阻小于100Ω/□的薄膜;随着沉积时间的加长,Ta N薄膜的方阻也出现减小的现象;后制备出工艺稳定性好的方阻50Ω/□的Ta N薄膜氮化钽靶材合成1、将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得；2、以金属钽和氮气为原料制备氮化钽，反应式如下：2Ta+N2=2TaN。用作超硬质材料添加剂，可制备纯的五氯化钽：用于喷涂，增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性利用磁控反应溅射技术制备氮化钽薄膜，对磁控反应溅射制备氮化钽薄膜的工艺参数（包括氮分压比、加热温度、溅射压力、溅射电流）用正交设计进行优化
