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色散共焦测量电路板层厚硅化合物铸件或阻焊膜的厚度能够被测量。在此有两个不同的测量方法，光谱共焦和光干涉测量。硅化合物铸件能够用色散共焦测量和光干涉方法测量。有色的阻焊膜厚度能够通过光干涉法测量。这里光干涉会比共焦多一些优势，因为它的量程会多出几个毫米。测量时可能需要增加一个3D测量设备来调整距离以保证色散共焦传感器始终能够有测量信号。ERT的色散共焦测量传感器的好处多。色散共焦测量硅通孔（TSV）硅通孔主要给硅片提供竖直的金属连接方式。使用这种技术能够把单个芯片通过微小的铜线结构竖直地连接起来。在蚀刻工艺完成后，这些突出的地方被称作Bump。在被填充前的TSV结构是长宽比很高的小洞，填充后Bump就会在硅片表面长出。无论是TSV孔深还是Bump高度都能被ERT的色散共焦测量传感器测量。色散共焦测量技术在智能手机和平板电脑的应用现在的智能手机、平板电脑和其他一些电子产品都有着非常高精度的表面，它们的外表一般都是由非常精细的金属和玻璃合成。这些由塑料、金属和玻璃制成的材料必须很紧密无缝地结合在一起。色散共焦测量传感器能够确保在组装时所有部分都能很平整地排列在一起。在测量时，这些部件是不能被触碰的。ERT色散共焦测量传感器测量参杂晶片的厚度高参杂和低参杂的硅片都能通过红外干涉传感器测量其厚度。在半导体工业中，另一个重要的质检标准是薄片的卷边和翘曲。由于硅片上的结构可能会导致其变形，这些变形量能被色散共焦测量传感器很精确地测量出来。
