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针对以上问题,研究人员使用在3μm波段具有相对低的泵浦阈值、较高斜率效率的Er:YSGG激光晶体,采用966 nm半导体激光器(LD)作为泵浦源,使得泵浦光发射带与激光晶体铒离子吸收带具有很好的光谱匹配,提高了泵浦效率,降低激光晶体热效应。通过谐振腔优化设计补偿热透镜效应,使用2.79 μm高损伤阈值的非偏振TeO2声光调Q开关,避免了电光调Q热退偏效应带来的损耗。在重复频率100-300Hz条件下,获得2.79μm高重频调Q激光输出,其中大激光脉冲能量达到1mJ,高峰值功率达13.2 kW@76 ns。2.79μm高重复频率高峰值功率调Q激光器研究中取得进展该技术拓展了3μm激光光源,为科研与应用提供了新工具,已在激光牙组织消融上进行了实验,取得了较好的效果。相关研究成果已发表在GaSb基InGaAsSb晶格匹配异质结量子阱的能带带隙可调范围覆盖了1.8μm~4.0μm的短波红外区域,与该波段的其它激光材料体系相比其在研制电直接驱动下高光电效率的激光器方面具有独特的优势。