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然而,由于3 μm激光晶体的增益系数与热导率较低,在高功率泵浦条件下会出现严重的热透镜与热退偏效应,同时由于缺乏高透过率、高损伤阈值的声光调Q开关,从而难以获得高重复频率、高峰值功率的调Q激光输出。QBH铠装管软管具有高抗压、抗拉、抗损、耐撞击、耐腐蚀等特点。产品特点:用不锈钢制造的QBH铠装管,具有很强的柔韧性,而且在一定程度下弯曲不能超过半径,强硬的拉扯也不能伸长,即使加上侧压,垂直压也非常坚固。利用这些特长,垂直压,撞击,焊接,反复弯曲,施加侧压等之后,脆弱的光纤和传感器也能得到可靠的保护。根据咬合构造和材料性质的不同光纤护具有很多种类。还有流体用,极细用,扭矩传达用,医疗用等,各种丰富的管,根据客人特别订购的需求具有迅速开发的体制。产品规格从3mm—104mm,结束了管径6mm以下保护管须从国外进口的尴尬局面。产品用途:MOPA脉宽可调光纤激光器,脉冲光纤激光器,连续光纤激光器,医疗机器,机器人,各种通信机器,商用比赛机器,照明器具,埋设用保护管,测定器所有光纤,传感器线的保护。华光光电凭借在半导体激光器领域深耕多年的丰富经验和坚实技术基础,依托自产高功率芯片的核心优势,完成高功率芯片封装、光学合束和光纤耦合等关键技术的开发,成功推出高功率直接半导体激光器系统,输出功率覆盖1000瓦到10000瓦,并实现光纤输出。产品可应用于激光熔覆、表面处理、焊接等领域,现已部分投入市场。近年来,牛智川研究员带领的研究团队在国家973重大科学研究计划、国家自然科学基金委重大项目及重点项目等的支持下,深入研究了锑化物半导体的材料基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等,系统性掌握了锑化物量子阱、超晶格低维材料物理特性理论分析和分子束外延生长方法,在突破了锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术基础上,创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构成功实现了2μm波段高性能单模激光器,边模抑制比达到53dB是目前同类器件的高值,同时输出功率达到40mW是目前同类器件的3倍以上。相关成果在Appl.Phys.Lett.114,021102(2019)发表后立刻被国际著名《化合物半导体,Compound Semiconductor 2019年第2期》长篇报道,指出:“该单模激光器开创性提升边模抑制比,为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。