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针对以上问题，研究人员使用在3μm波段具有相对低的泵浦阈值、较高斜率效率的Er：YSGG激光晶体，采用966 nm半导体激光器（LD）作为泵浦源，使得泵浦光发射带与激光晶体铒离子吸收带具有很好的光谱匹配，提高了泵浦效率，降低激光晶体热效应。通过谐振腔优化设计补偿热透镜效应，使用2.79 μm高损伤阈值的非偏振TeO2声光调Q开关，避免了电光调Q热退偏效应带来的损耗。在重复频率100－300Hz条件下，获得2.79μm高重频调Q激光输出，其中大激光脉冲能量达到1mJ，高峰值功率达13.2 kW＠76 ns。据外媒报道，来自罗彻斯特理工学院（RIT）和罗彻斯特大学的研究人员，通过诺贝尔奖获得者Arthur Ashkin发明的激光镊技术，开发出了一种新型声子激光器。现代社会中，WiFi是我们身边随处可见的设备，根据80.211b/g/n协议，WiFi的工作频率范围是2.4GHz～2.48GHz。自从赫兹验证了电磁波的存在以来，无线发射机的工作频率约为50兆赫，发展到现在工作频段到了千兆赫。随着无线通信数据量的不断增加，需要用新的通信技术来满足更高速的数据传输。因此，哈佛的研究团队给出了一个基于半导体激光频率梳的小型射频发射机的概念证明。近年来，牛智川研究员带领的研究团队在国家973重大科学研究计划、国家自然科学基金委重大项目及重点项目等的支持下，深入研究了锑化物半导体的材料基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等，系统性掌握了锑化物量子阱、超晶格低维材料物理特性理论分析和分子束外延生长方法，在突破了锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术基础上，创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC－DFB）结构成功实现了2μm波段高性能单模激光器，边模抑制比达到53dB是目前同类器件的高值，同时输出功率达到40mW是目前同类器件的3倍以上。相关成果在Appl．Phys．Lett．114，021102（2019）发表后立刻被国际著名《化合物半导体，Compound Semiconductor 2019年第2期》长篇报道，指出：“该单模激光器开创性提升边模抑制比，为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。
