5V0.5A充电器芯片PN8054
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行 业：电子 电源/电池 电源适配器
发布时间：2020-12-09
pn8359 5v2.1a电源方案pn8359电源内置650V功率MOSFET和原边电感量补偿电路，可省略光耦和TL431，可以提高电源功率的密度，节省空间以及成本，具有优异全面的保护功能，骊微电子用于高性能、外围元器件精简的开关电源适配器、电池充电器、机顶盒电源以及LED照明。
Chipown针对10-24W AC/DC整机内置电源和外置适配器电源，推出了新一代的反激架构PN8147电源芯片，芯朋Chipown的PN8147单芯片六级能效方案，更少的外围器件，更多的保护功能，让您的电源设计更加简洁可靠，内部集成了多模式脉宽调制控制器、快速高压启动MOSFET和高雪崩能力功率MOSFET，采用DIP7封装，外围元件精简。
PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗电源芯片内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
PN8370是一款高性能的原边反馈控制器。PN8370工作在原边检测和调整模式，可省略系统的光耦和TL431。PN8370拥有恒流恒压控制环路，可以实现高精度的恒压、恒流输出，能够满足大部分充电器和适配器需求。PN8370内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。
PN8370M+PN8306M 5v开关电源芯片六级能效方案亮点 :
外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M独特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显着提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。
5v开关电源芯片充电器方案PN8370M+PN8306M因其外围极简、高可靠性、超低待机、高效率等优点，备受工程师们青睐，如需了解更多5v开关电源芯片详情或申请样板使用，可向骊微电子申请。。。。。。
当电子产品的电源已经插入插座但未使用时，本身仍在持续耗电。为了实现较低待机功耗，这些电源通常会进入一个低功耗待机运行模式。然而，当有负载时，它们需要快速“唤醒”，以防止输出电压下降过低。动态负载响应（DLR）性能由系统唤醒和响应功率负载变化的速度决定。典型的适配器和充电器设计方法能够实现较低的待机功耗和较高的效率，但这也导致了唤醒速度很慢。PN8306内置自适应电压位置监测器，它能够检测出反激式转换器的输出电压下冲，从而实现超快的DLR，迅速从低功耗待机模式醒来。
PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置电压降极低的功率MOSFET，以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，常用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
