产品规格:
产品数量:
包装说明:
关 键 词:FP40R12KE3G
行 业:仪器仪表 电子元器件 二极管
发布时间:2020-12-04
苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产,具有多种专项技术的科技专家组建的国家重点高新技术企业。业务范围涵盖设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块,如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块( CSPM)。此外还包括高效节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案,如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。
整流桥按整流变压器的类型可以分为传统的多脉冲变压整流器和自耦式多脉冲变压整流器。传统的多脉冲变压整流器采用隔离变压器实现输入电压和输出电压的隔离,但整流变压器的等效容量大,体积庞大。
在使用IGBT模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
整流桥的作用与原理:
电源的整流桥部分采用了一体式的整流桥,整流桥的作用就是能够通过二极管的单向导通的特性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电,通常电源中采用的整流桥.还有单颗集成式的还有采用四颗二极管实现的。
苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家集分销、直销及为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。销售国内外知名品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块,熔断器;主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块......欢迎大家前来咨询!