泉州磁控溅射氮化钽靶材厂家 TaN靶材
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行 业：冶金 有色金属 铜
发布时间：2020-11-22
结果表明:随氮分压的增大,Ta N薄膜的微结构明显变化,同时Ta N薄膜的方阻也有显着增大趋势;随着沉积温度的提高,Ta N薄膜的方阻有减小趋势,当温度达到400℃时,制备出了方阻小于100Ω/□的薄膜;随着沉积时间的加长,Ta N薄膜的方阻也出现减小的现象;后制备出工艺稳定性好的方阻50Ω/□的Ta N薄膜
在石英玻璃上通过改变基底温度生长了系列面心立方结构的δ-TaNx多晶薄膜,X射线衍射及扫描电镜形貌结果显示,薄膜的平均晶粒尺寸随基底温度的升高逐渐增大。电输运测量结果表明,δ-TaNx薄膜在~5 K以下表现出类似超导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质;随着温度的升高,薄膜在10-30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质;在70 K以上,热涨落诱导的遂穿(FIT)导电机制主导着电阻率的温度行为。因此,多晶δ-TaNx薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数
氮化钽---暗灰色粉末。六方晶结构，晶格常数α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔点3090℃，电阻率(180±10) μΩ·cm。显微硬度(106±75)MPa，超导转变温度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、盐酸和氟氢酸，易被硫酸和硝酸和过氧化氢混合液氧化。易和碳化钽生成类质同晶混合物，和氮化铪、碳化铪互溶。在1400℃以上真空中加热易分解。与氢氧化钾作用分解放出氨。由五氯化钽和氨气反应或700～1000℃下使钽粉和氮气反应生成。冶金中利用氮化钽分解制取高纯钽粉。利用其电阻温度小的特点制造电阻薄膜器件。
一定工作压力下，制备的氮化钽薄膜硬度高达４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探讨了氮化钽薄膜高硬度的原因，并且讨论了随氮分压的提高薄膜织构变化的原因
